[發明專利]半導體器件和制造方法在審
| 申請號： | 202210189577.6 | 申請日： | 2022-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN114975359A | 公開（公告）日： | 2022-08-30 |
| 發明（設計）人： | 陳憲偉;鄭心圃 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538;H01L23/31;H01L23/64;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：
提供電容器芯片，所述電容器芯片包括深溝槽電容器；
將第一半導體管芯接合到所述電容器芯片；
用第一密封劑密封所述電容器芯片和所述第一半導體管芯中的第一個；
減薄所述電容器芯片和所述第一半導體管芯中的第二個以暴露貫通孔；
將所述電容器芯片和所述第一半導體管芯中的所述第二個接合到中介層；以及
將所述中介層接合到襯底上。
2.根據權利要求1所述的方法，還包括用第二密封劑密封所述第一密封劑。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，在將所述第一半導體管芯接合到所述電容器芯片之后，所述電容器芯片的面面對所述第一半導體管芯，并且所述第一半導體管芯的面面對所述電容器芯片。
4.根據權利要求1所述的方法，其中，在將所述第一半導體管芯接合到所述電容器芯片之后，所述電容器芯片的面背對所述第一半導體管芯，并且所述第一半導體管芯的面背對所述電容器芯片。
5.根據權利要求1所述的方法，其中，在將所述第一半導體管芯接合到所述電容器芯片之后，所述電容器芯片的面背對所述第一半導體管芯，并且所述第一半導體管芯的面面對所述電容器芯片。
6.根據權利要求1所述的方法，其中，在將所述第一半導體管芯接合到所述電容器芯片之后，所述電容器芯片的面面對所述第一半導體管芯，并且所述第一半導體管芯的面背對所述電容器芯片。
7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一半導體管芯不包含電容器。
8.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：
將電容器芯片和第一半導體管芯組合成第一結構；
將所述第一結構的至少部分嵌入第一密封劑中；
減薄所述第一結構以暴露貫通孔；
將所述貫通孔連接到中介層；
將第二半導體管芯接合到所述中介層；
將所述第二半導體管芯以及所述電容器芯片和所述第一半導體管芯的組合嵌入第二密封劑中；以及
將所述中介層連接到襯底。
9.根據權利要求8的方法，其中，所述第一半導體管芯是芯片上系統器件。
10.一種半導體器件，包括：
中介層，位于襯底上方；
第一集成電容器器件，接合到所述中介層，所述第一集成電容器器件包括：
電容器芯片；
第一半導體管芯，接合到所述電容器芯片；和
貫通孔，延伸穿過所述第一集成電容器器件的半導體襯底；
第二半導體管芯，接合到所述中介層；以及
密封劑，密封所述第一集成電容器器件和所述第二半導體管芯。
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