[發明專利]一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法有效
| 申請號: | 202210188318.1 | 申請日: | 2022-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN114582730B | 公開(公告)日: | 2022-11-04 |
| 發明(設計)人: | 傅蔡安;傅菂;李成力 | 申請(專利權)人: | 江南大學 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;C22C1/10;C22C1/02;B22D7/00;B22D19/00;B22D27/11;B22D27/20;C22C21/00;C22C26/00;B22D21/04 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 性能 復合材料 散熱 方法 | ||
一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法,包括加工設備,加工設備的具體結構為:包括真空加熱爐,所述真空加熱爐內放置鋼制坩堝,所述鋼制坩堝內底面設置有強氧化劑,所述強氧化劑和鋼制坩堝的上表面同時放置成形模具,成形模具上表面放置鋁塊,所述真空加熱爐一端通過管路連接真空泵,另一端通過管路連接氮氣罐;采用壓力浸滲法,形成了具有更高致密度的鋁基陶瓷復合材料,鋁基陶瓷復合材料由一種金屬基體和非金屬增強相構成,其中鋁為金屬基體,非金屬增強相可為金剛石、石墨烯等,以金剛石為例,本工藝通過高壓浸滲,使鋁液填充在金剛石顆粒的空隙間。
技術領域
本發明涉及散熱期間加工技術領域,尤其是一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法。
背景技術
鋁基導熱復合材料具有高熱導率、與封裝芯片相匹配的熱膨脹系數、質量輕、剛度大等特點,是目前理想的大功率集成電路模塊封裝散熱材料。多芯片組件和大電流功率模塊是航天航空、國防建設、民用交通、輸變電系統等的核心部件,目前常見的金屬基復合散熱材料有鋁石墨烯、鋁金剛石和鋁碳化硅等。
金剛石是自然界中最硬的物質,其熱導能達到2000W/m·K,隨著技術的進步,人工金剛石粉料的價格逐漸在下降,但金剛石在高溫下會發生高溫裂解。石墨烯的熱導高達3500W/m·K。但石墨烯在550℃以上易氧化,與空氣中的氧氣反應生成二氧化碳,產生“失重”現象。碳化硅其本身的熱導較低,所制備的復合材料熱導并不理想。因此,如果能夠解決陶瓷材料的高溫裂解和失重問題,鋁金剛石和鋁石墨烯復合材料將成為導熱復合材料的最佳選擇之一。
發明內容
本申請人針對上述現有生產技術中的缺點,提供一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法,從而采用壓力浸滲法,形成了具有更高致密度的鋁基陶瓷復合材料,鋁基陶瓷復合材料由一種金屬基體和非金屬增強相構成,其中鋁為金屬基體,非金屬增強相可為金剛石、石墨烯等,以金剛石為例,本工藝通過高壓浸滲,使鋁液填充在金剛石顆粒的空隙間。
本發明所采用的技術方案如下:
一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法,包括加工設備,加工設備的具體結構為:包括真空加熱爐,所述真空加熱爐內放置鋼制坩堝,所述鋼制坩堝內底面設置有強氧化劑,所述強氧化劑和鋼制坩堝的上表面同時放置成形模具,成形模具上表面放置鋁塊,所述真空加熱爐一端通過管路連接真空泵,另一端通過管路連接氮氣罐;
操作過程如下:
第一步:準備陶瓷顆粒,將陶瓷顆粒進行配比,通過振動和壓實工作,將陶瓷顆粒壓制成粉料塊;
第二步:通過模具鋼隔板、鋁箔支撐成形模具,將第一步中得到的石粉料塊裝入成形模具的兩鋁箔之間的凹槽內;
第三步:在鋼制坩堝內部凹槽內鋪上一層強氧化劑;
第四步:將成形模具放入鋼制坩堝內部,將計算好體積的鋁塊放置在成形模具上,同鋼制坩堝一起放入真空加熱爐中;
第五步:真空泵工作,開始抽真空,真空度達到10Pa-10-2Pa,停止抽真空;
第六步:真空加熱爐開始進行加熱,加熱溫度設定650-800℃,加熱時間30-120分鐘,保溫60-240分鐘;隨著加熱的開始,真空加熱爐內殘留的氧氣與強氧化劑會發生反應,進一步去氧。
第七步:將鋁錠放入融鋁爐中,設置加熱溫度為650℃-850℃,打開加熱開關,使鋁錠熔化,制備精煉的鋁液,為后面鋁液的澆鑄和擠壓做準備;
第八步:打開壓力機壓槽的加熱開關,對壓力機壓槽進行預熱,設定溫度為400℃-500℃;
第九步:待加熱爐中鋁塊完全融化并覆蓋成型模具后,氮氣罐工作,開始充入氮氣,待真空加熱爐的爐內、外壓強平衡后,停止充入氮氣;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





