[發明專利]一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法有效
| 申請號: | 202210188318.1 | 申請日: | 2022-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN114582730B | 公開(公告)日: | 2022-11-04 |
| 發明(設計)人: | 傅蔡安;傅菂;李成力 | 申請(專利權)人: | 江南大學 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;C22C1/10;C22C1/02;B22D7/00;B22D19/00;B22D27/11;B22D27/20;C22C21/00;C22C26/00;B22D21/04 |
| 代理公司: | 無錫華源專利商標事務所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 嚴梅芳 |
| 地址: | 214122 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 性能 復合材料 散熱 方法 | ||
1.一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法,其特征在于:包括加工設備,加工設備的具體結構為:包括真空加熱爐,所述真空加熱爐內放置鋼制坩堝(4),所述鋼制坩堝(4)內底面設置有強氧化劑(5),所述強氧化劑(5)和鋼制坩堝(4)的上表面同時放置成形模具,成形模具上表面放置鋁塊(2),所述真空加熱爐一端通過管路連接真空泵(8),另一端通過管路連接氮氣罐(9);
操作過程如下:
第一步:準備陶瓷顆粒(3),將陶瓷顆粒(3)進行配比,通過振動和壓實工作,將陶瓷顆粒(3)壓制成粉料塊;
第二步:通過模具鋼隔板(1)、鋁箔支撐成形模具,將第一步中得到的石粉料塊裝入成形模具的兩鋁箔之間的凹槽內;
第三步:在鋼制坩堝(4)內部凹槽內鋪上一層強氧化劑(5);
第四步:將成形模具放入鋼制坩堝(4)內部,將計算好體積的鋁塊(2)放置在成形模具上,同鋼制坩堝(4)一起放入真空加熱爐中;
第五步:真空泵(8)工作,開始抽真空,真空度達到10Pa-10-2Pa,停止抽真空;
第六步:真空加熱爐開始進行加熱,加熱溫度設定650℃-800℃,加熱時間30-120分鐘,保溫60-240分鐘;
第七步:將鋁錠放入熔鋁爐中,設置加熱溫度為650℃-850℃,打開加熱開關,使鋁錠熔化,制備精煉的鋁液,為后面鋁液的澆鑄和擠壓做準備;
第八步:打開壓力機壓槽(12)的加熱開關,對壓力機壓槽(12)進行預熱,設定溫度為400℃-500℃;
第九步:待加熱爐中鋁塊(2)完全熔化并覆蓋成型模具后,氮氣罐(9)工作,開始充入氮氣,待真空加熱爐的爐內、外壓強平衡后,停止充入氮氣;
第十步:打開真空加熱爐的爐門,將覆有鋁液(10)的成形模具取出,然后放入預熱好的壓力機壓槽(12)內;往壓鑄模具內注入精煉好的鋁液,直至鋁液完全包裹成形模具;
第十一步:開啟壓機,設定壓力機的壓力參數,壓力為30Mpa-150Mpa,使壓頭(11)緩慢擠壓鋁液(10),直至壓機壓頭(11)不再下降為止,在高壓下保壓5分鐘-30分鐘,待壓鑄鋁液冷卻凝固后撤壓;
第十二步:將壓鑄模具內的鋁錠頂出,脫模后得到鋁基金剛石散熱復合材料的壓鑄坯板。
2.如權利要求1所述的一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法,其特征在于:第一步中,陶瓷顆粒(3)選用金剛石顆粒。
3.如權利要求1所述的一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法,其特征在于:第三步中,強氧化劑(5)采用銅粉。
4.如權利要求1所述的一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法,其特征在于:第三步中,鋼制坩堝(4)通過石墨和耐熱鋼制備而成。
5.如權利要求1所述的一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法,其特征在于:第四步中,鋁塊(2)的體積保證鋁塊(2)被熔化后,剛好淹沒成形模具。
6.如權利要求1所述的一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法,其特征在于:第五步中,真空度為0.1Pa。
7.如權利要求1所述的一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法,其特征在于:第七步中,熔鋁爐設置在外部。
8.如權利要求1所述的一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法,其特征在于:第八步中,加熱溫度為450℃。
9.如權利要求1所述的一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法,其特征在于:第十一步中,壓力機的壓力為60Mpa。
10.如權利要求1所述的一種制備高性能鋁基復合材料散熱基板的方法,其特征在于:第十一步中,保壓時間為20分鐘。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





