[發(fā)明專利]一種硅片激光打標方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210187541.4
• 申請日: 2022-02-28
• 公開（公告）號: CN114952014A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設計）人: 張宏杰;劉園;劉建偉;武衛(wèi);孫晨光;王彥君
• 申請（專利權）人: 天津中環(huán)領先材料技術有限公司;中環(huán)領先半導體材料有限公司
• 主分類號: B23K26/362
• 分類號: B23K26/362;B23K26/70
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

本發(fā)明提供一種硅片激光打標方法，包括以下步驟：開啟冷卻系統(tǒng)；設定打標內容；硅片掃描；上載機械手取片；對硅片進行定位；進行打標；下載機械手放片。本發(fā)明的有益效果是用于對大直徑具有V槽和參考面的硅片進行打標，可以在硅片表面形成要求的永久性文字，不易模糊脫落，且硅片表面潔凈，減少污染，碎片率較低，具有較高的自動化效率和生產效率。

技術領域

本發(fā)明屬于硅片生產技術領域，尤其是涉及一種硅片激光打標方法。

背景技術

目前，在太陽能電池制造領域中，包括對硅片進行激光打標工序。傳統(tǒng)的激光打標方法具有碎片率高，容易造成硅片污染和文字模糊脫落，自動化效率低等缺陷。

發(fā)明內容

本發(fā)明要解決的問題是提供一種硅片激光打標方法，用于對大直徑具有 V槽和參考面的硅片進行打標，可以在硅片表面形成要求的永久性文字，不易模糊脫落，且硅片表面潔凈，減少污染，碎片率較低，具有較高的自動化效率和生產效率。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的技術方案是：

一種硅片激光打標方法，包括步驟：

開啟冷卻系統(tǒng)；

設定打標內容；

硅片掃描；

上載機械手取片；

對所述硅片進行定位；

打標；

下載機械手放片。

進一步地，在所述開啟冷卻系統(tǒng)步驟中，冷卻水的溫度設定為20-30℃。

進一步地，在所述開啟冷卻系統(tǒng)步驟中，壓縮氣體的壓強設定為6-9kpa。

進一步地，在所述打標步驟中，激光器的脈沖數(shù)為5-9，打標深度為 35-85um。

進一步地，在所述打標步驟中，打標角度為-3～-7°。

進一步地，在所述打標步驟中，所述打標角度以所述硅片中心點與V槽連線為參考線。

進一步地，在所述上載機械手取片和所述下載機械手放片步驟中，所述機械手的末端設置有傳感器。

進一步地，在所述設定打標內容步驟中，打標碼包括OCR或T7code。

進一步地，在所述設定打標內容步驟中,包括手動設定打標內容或自動設定打標內容。

進一步地，所述手動設定打標內容為手動選擇打標內容并進行設定；

所述自動設定打標內容包括：掃描片籃籃號，將所述片籃籃號信息傳遞給控制系統(tǒng)，確定單晶信息；確定打標內容并進行設定。

本發(fā)明設計的一種硅片激光打標方法，用于對大直徑具有V槽和參考面的硅片進行打標，可以在硅片表面形成要求的永久性文字，不易模糊脫落，且硅片表面潔凈，減少污染，碎片率較低，具有較高的自動化效率和生產效率。

具體實施方式

下面詳細描述本發(fā)明的實施例。

本發(fā)明實施例提供一種硅片激光打標方法，用于對12寸以上的大直徑具有V槽和參考面的硅片進行打標，在硅片表面形成要求的永久性文字，不易模糊脫落，且硅片表面潔凈，減少污染，碎片率較低。便于通過此識別碼對硅片的生產過程中進行追溯，同時便于通過掃描或讀取的形式獲取硅片的屬性。

一種硅片激光打標方法，采用硬打標方式對硅片進行打標，包括以下步驟：

開啟冷卻系統(tǒng)；

設定打標內容；

硅片掃描；