[發(fā)明專利]一種硅片激光打標方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210187541.4 | 申請日: | 2022-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN114952014A | 公開(公告)日: | 2022-08-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張宏杰;劉園;劉建偉;武衛(wèi);孫晨光;王彥君 | 申請(專利權)人: | 天津中環(huán)領先材料技術有限公司;中環(huán)領先半導體材料有限公司 |
| 主分類號: | B23K26/362 | 分類號: | B23K26/362;B23K26/70 |
| 代理公司: | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 300384 天津市濱海*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 激光 方法 | ||
1.一種硅片激光打標方法,其特征在于,包括步驟:
開啟冷卻系統(tǒng);
設定打標內容;
硅片掃描;
上載機械手取片;
對所述硅片進行定位;
打標;
下載機械手放片。
2.根據權利要求1所述的一種硅片激光打標方法,其特征在于:
在所述開啟冷卻系統(tǒng)步驟中,冷卻水的溫度設定為20-30℃。
3.根據權利要求1或2所述的一種硅片激光打標方法,其特征在于:
在所述開啟冷卻系統(tǒng)步驟中,壓縮氣體的壓強設定為6-9kpa。
4.根據權利要求3所述的一種硅片激光打標方法,其特征在于:
在所述打標步驟中,激光器的脈沖數(shù)為5-9,打標深度為35-85um。
5.根據權利要求1或2或4所述的一種硅片激光打標方法,其特征在于:
在所述打標步驟中,打標角度為-3~-7°。
6.根據權利要求5所述的一種硅片激光打標方法,其特征在于:
在所述打標步驟中,所述打標角度以所述硅片中心點與V槽連線為參考線。
7.根據權利要求1或2或4或6所述的一種硅片激光打標方法,其特征在于:
在所述上載機械手取片和所述下載機械手放片步驟中,所述機械手的末端設置有傳感器。
8.根據權利要求7所述的一種硅片激光打標方法,其特征在于:
在所述設定打標內容步驟中,打標碼包括OCR或T7 code。
9.根據權利要求1或2或4或6或8所述的一種硅片激光打標方法,其特征在于:
在所述設定打標內容步驟中,包括手動設定打標內容或自動設定打標內容。
10.根據權利要求9所述的一種硅片激光打標方法,其特征在于:
所述手動設定打標內容為手動選擇打標內容并進行設定;
所述自動設定打標內容包括:掃描片籃籃號,將所述片籃籃號信息傳遞給控制系統(tǒng),確定單晶信息;確定打標內容并進行設定。
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