[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202210171597.0
• 申請日: 2017-02-16
• 公開（公告）號: CN114628436A
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 成東俊;樸淳五
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L21/82
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種半導體器件，包括：

基板；

驅動電路區域，設置在所述基板上并包括多個外圍電路；

多條字線，設置在所述驅動電路區域上，并包括第一字線和第二字線；

多個存儲單元結構，設置在所述多條字線上，并包括設置在所述第一字線上的第一存儲單元結構、設置在所述第一字線上的第二存儲單元結構、設置在所述第二字線上的第三存儲單元結構以及設置在所述第二字線上的第四存儲單元結構；

多條位線，設置在所述多個存儲單元結構上，并包括設置在所述第一存儲單元結構上和在所述第三存儲單元結構上的第一位線以及設置在所述第二存儲單元結構上和在所述第四存儲單元結構上的第二位線；以及

多個絕緣圖案，設置在所述多個存儲單元結構當中的兩個相鄰的存儲單元結構之間，并包括設置在所述第一存儲單元結構和所述第二存儲單元結構之間的第一絕緣圖案以及設置在所述第一存儲單元結構和所述第三存儲單元結構之間的第二絕緣圖案，

其中所述第一存儲單元結構包括第一電極、設置在所述第一電極上的選擇器件、設置在所述選擇器件上的第二電極、設置在所述第二電極上的可變電阻層以及設置在所述可變電阻層上的第三電極，以及

空隙設置在所述多個絕緣圖案中的至少一個中。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述選擇器件的寬度大于所述可變電阻層的寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一存儲單元結構包括設置在所述選擇器件的側壁上的第一蓋層和設置在所述可變電阻層的側壁上的第二蓋層。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述第一蓋層的寬度小于所述第二蓋層的寬度。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一絕緣圖案包括所述空隙。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述選擇器件的寬度小于所述第一字線的寬度。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述可變電阻層包括磁隧道結(MJT)結構，該磁隧道結(MJT)結構包括包含磁性材料的兩個電極和設置在所述兩個電極之間的電介質。

8.一種半導體器件，包括：

基板；

多條字線，設置在所述基板上，并包括第一字線和第二字線；

多個存儲單元結構，設置在所述多條字線上，并包括設置在所述第一字線上的第一存儲單元結構、設置在所述第一字線上的第二存儲單元結構、設置在所述第二字線上的第三存儲單元結構以及設置在所述第二字線上的第四存儲單元結構；

多條位線，設置在所述多個存儲單元結構上，并包括設置在所述第一存儲單元結構上和在所述第三存儲單元結構上的第一位線以及設置在所述第二存儲單元結構上和在所述第四存儲單元結構上的第二位線；以及

多個絕緣圖案，設置在所述多個存儲單元結構當中的兩個相鄰的存儲單元結構之間，并包括設置在所述第一存儲單元結構和所述第二存儲單元結構之間的第一絕緣圖案，

其中所述第一存儲單元結構包括第一電極、設置在所述第一電極上的選擇器件、設置在所述選擇器件上的第二電極、設置在所述第二電極上的可變電阻層、設置在所述可變電阻層上的第三電極、設置在所述選擇器件的側壁上的第一蓋層以及設置在所述可變電阻層的側壁上的第二蓋層，以及

所述選擇器件的寬度大于所述可變電阻層的寬度。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，還包括設置在所述基板和所述多條字線之間并包括多個外圍電路的驅動電路區域。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述第一蓋層的寬度小于所述第二蓋層的寬度。

11.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述選擇器件包括Si、Te、As、Ge和In中的至少一種。

12.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述半導體器件是磁隨機存取存儲器(MRAM)。