[發明專利]一種抗輻照FDSOI場效應管及其制備方法

在審

• 申請號: 202210169851.3
• 申請日: 2022-02-23
• 公開（公告）號: CN114864692A
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 劉紅俠;顏聰;王樹龍;陳樹鵬;陳瑞博
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L23/552;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 王萌

1.一種抗輻照FDSOI場效應管，其特征在于，所述抗輻照FDSOI場效應管包括：

襯底層(1)；

埋氧層(3)，位于所述襯底層(1)上，且在所述襯底層(1)靠近所述埋氧層(3)的內側位有背平面阱(2)；

頂層硅(4)，位于所述埋氧層(3)上；

第一淺槽隔離區(5)、第二淺槽隔離區(6)和第三淺槽隔離區(7)，所述第一淺槽隔離區(5)和所述第三淺槽隔離區(7)分別位于所述背平面阱(2)兩端的臺階上，所述第二淺槽隔離區(6)位于所述背平面阱(2)的凹槽上，且所述第二淺槽隔離區(6)位于所述第一淺槽隔離區(5)和所述第三淺槽隔離區(7)之間，且所述第一淺槽隔離區(5)、所述第二淺槽隔離區(6)和所述第三淺槽隔離區(7)的上表面均高于所述背平面阱(2)的上表面；

背柵(8)，位于所述第一淺槽隔離區(5)和所述第二淺槽隔離區(6)之間，并分別與所述第一淺槽隔離區(5)和所述第二淺槽隔離區(6)相接觸；

加固源區(9)，位于所述埋氧層(3)上，且所述加固源區(9)位于所述頂層硅(4)和所述第二淺槽隔離區(6)之間，并分別與所述頂層硅(4)和所述第二淺槽隔離區(6)相接觸；

漏區(10)，位于所述埋氧層(3)上，且所述漏區(10)位于所述頂層硅(4)和所述第三淺槽隔離區(7)之間，并分別與所述頂層硅(4)和所述第三淺槽隔離區(7)相接觸；

柵氧化層(11)，位于所述頂層硅(4)上；

高K柵介質層(12)，位于所述柵氧化層(11)上；

柵極(13)，位于所述高K柵介質層(12)上；

輕摻雜源區(14)和輕摻雜漏區(15)，所述輕摻雜源區(14)和所述輕摻雜漏區(15)分別位于所述頂層硅(4)的兩端內；

兩個側墻(16)，分別位于所述高K柵介質層(12)上，且兩個所述側墻(16)分別位于所述柵極(13)的兩側。

2.根據權利要求1所述的抗輻照FDSOI場效應管，其特征在于，所述背平面阱(2)包括P阱或者N阱。

3.根據權利要求1所述的抗輻照FDSOI場效應管，其特征在于，所述加固源區(9)包括注入離子的頂層硅(4)和位于所述頂層硅(4)上注入離子的Si層。

4.根據權利要求3所述的抗輻照FDSOI場效應管，其特征在于，所述加固源區(9)包括第一導電類型重摻雜區(91)、第二導電類型重摻雜區(92)，其中，所述第二導電類型重摻雜區(92)分別位于所述第一導電類型重摻雜區(91)沿縱向的兩端及其底部，且所有所述第二導電類型重摻雜區(92)依次相連。

5.根據權利要求4所述的抗輻照FDSOI場效應管，其特征在于，所述第一導電類型重摻雜區(91)的導電類型為N型，所述第二導電類型重摻雜區(92)的導電類型為P型；或者所述第一導電類型重摻雜區(91)的導電類型為P型，所述第二導電類型重摻雜區(92)的導電類型為N型。

6.根據權利要求1所述的抗輻照FDSOI場效應管，其特征在于，所述漏區(10)包括注入離子的頂層硅(4)和位于所述頂層硅(4)上注入離子的Si層。

7.根據權利要求3或6所述的抗輻照FDSOI場效應管，其特征在于，所述Si層的厚度為5nm-15nm。