[發明專利]一種非常規尺寸芯片的刻蝕方法在審
| 申請號: | 202210166868.3 | 申請日: | 2022-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN114613716A | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發明(設計)人: | 徐巖;薛剛 | 申請(專利權)人: | 蘇州原位芯片科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/306 |
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| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 常規 尺寸 芯片 刻蝕 方法 | ||
本發明提供了一種非常規尺寸芯片的刻蝕方法,通過選用與刻蝕設備加工型號相匹配的襯底作為后續所需裝載芯片的托盤,同時在該襯底上涂覆抗刻蝕能力強的薄膜材料作為后續刻蝕芯片區域以外的犧牲層,將所需刻蝕芯片粘附在襯底的犧牲層上,既固定了所需刻蝕芯片的位置,又使之與刻蝕設備型號兼容,從而順利進行刻蝕加工工藝。
技術領域
本發明屬于芯片加工技術領域,具體涉及一種非常規尺寸芯片的刻蝕方法。
背景技術
近年來隨著半導體領域迅速崛起,大量的科研探究被不斷地提出與付諸實踐,其芯片制造成為了眾人矚目的焦點。在MEMS芯片制造過程中,刻蝕工藝占據著重要位置,大部分的刻蝕設備所面向的對象都是固定尺標,但在實際生產過程中,會存在晶圓加工中的部分部位被損壞或是良率不夠,這就導致結果只有兩個:第一全部報廢處理,我們都知道,芯片的生產過程中存在很多到工序,如果每道工序都這樣處理將會造成資源的浪費,同時也提高了生產制造的成本;第二,就是對這些只是部分損壞或者良率不夠的芯片進行處理,保留完好的部分進行下一步加工,而實際生產中尺寸不標準或者與刻蝕設備尺寸不匹配的芯片就很難順利進行該步驟的刻蝕工藝,即使將上述芯片晶圓放在與設備匹配的托盤上,刻蝕過程中也會出現如諸多異常現象,例如污染設備、芯片位置不固定而導致刻蝕位置不精準、或縮減托盤使用壽命等,這將導致該芯片在工藝流程上的停滯甚至會被列為報廢處理,從而大大降低了生產率,提高了成產成本。
發明內容
為了解決上述技術問題,本發明提供一種對于非常規尺寸芯片可以兼容性的進行刻蝕加工的方法,提出了選用與刻蝕設備加工型號相匹配的襯底作為后續所需裝載芯片的托盤,同時在該襯底上涂覆抗刻蝕能力強的薄膜材料作為后續刻蝕芯片區域以外的犧牲層,將所需刻蝕芯片粘附在襯底的犧牲層上,既固定了所需刻蝕芯片的位置,又使之與刻蝕設備型號兼容,從而順利進行刻蝕加工工藝。
本發明實施例的具體技術方案如下:
一種非常規尺寸芯片的刻蝕方法,包括以下步驟:
S11將非常規尺寸芯片粘附在帶有犧牲層的襯底上形成待刻蝕件;
S12將所述待刻蝕件置入刻蝕設備中進行刻蝕,得到刻蝕件;
S13所述刻蝕件放置在加熱板上進行加熱后,將所述晶圓與所述非常規尺寸芯片分離;
S14采用有機溶劑清潔所述非常規尺寸芯片,得到目標芯片。
具體地,本實施例中所述襯底可以為晶圓、也可以為符合刻蝕設備托盤尺寸的其他材料,其作用是代替托盤承載芯片進行刻蝕工藝,為了防止所述襯底對刻蝕設備造成污染或者損壞,本實施例中在所述襯底的表面加工涂覆了犧牲層,所述犧牲層為一種或多種抗腐蝕能力強的薄膜材料,該薄膜材料既可以有效保護刻蝕設備不被襯底污染,又可以防止襯底在芯片加工過程中被損壞。
需要說明的是,本實施例中采用帶有犧牲層的襯底代替托盤,通過芯片與襯底粘附的方式進行刻蝕加工,既可以固定芯片的位置,也有效解除了刻蝕設備托盤的使用限制,有效提高加工效率;同時也提高了芯片加工過程的靈活性,可以選用不同尺寸的芯片進行刻蝕加工,不受芯片尺寸的影響。
此外,本發明實施例中,所述襯底上犧牲層的涂覆面,本技術領域的技術人員可以根據選用的襯底材料的選擇進行判斷,如果選用晶圓作為襯底,可以只涂覆一個表面,如果選用對刻蝕設備有影響的其他材料作為襯底,本領域技術人員可以對襯底的所有表面都進行涂覆,以防止刻蝕設備被污染,也提高了托盤的選用方式,解除刻蝕設備對托盤的依賴。
作為本發明實施例一個優選的技術方案,所述將非常規尺寸芯片粘附在帶有犧牲層的襯底上形成待刻蝕件,包括以下步驟:
S111在所述襯底的至少一個平面涂覆一層與所述襯底緊密黏附的犧牲層,既可以有效保護襯底在刻蝕過程中被損傷或損壞,有效提高襯底的利用率,又可以有效防止刻蝕設備被污染,提高刻蝕設備的使用壽命;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





