[發明專利]一種非常規尺寸芯片的刻蝕方法

在審

• 申請號: 202210166868.3
• 申請日: 2022-02-23
• 公開（公告）號: CN114613716A
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 徐巖;薛剛
• 申請（專利權）人: 蘇州原位芯片科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/306
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種非常規尺寸芯片的刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：

S11將非常規尺寸芯片粘附在帶有犧牲層的襯底上形成待刻蝕件；

S12將所述待刻蝕件置入刻蝕設備中進行刻蝕，得到刻蝕件；

S13所述刻蝕件放置在加熱板上進行加熱后，將所述晶圓與所述非常規尺寸芯片分離；

S14采用有機溶劑清潔所述非常規尺寸芯片，得到目標芯片。

2.根據權利要求1所述的非常規尺寸芯片的刻蝕方法，其特征在于，所述將非常規尺寸芯片粘附在帶有犧牲層的襯底上形成待刻蝕件，包括以下步驟：

S111在所述襯底的至少一個平面涂覆一層與所述襯底緊密黏附的犧牲層；

S112采用有機結合劑將所述非常規芯片黏附在所述犧牲層上，得到所述待刻蝕件。

3.根據權利要求2所述的非常規尺寸芯片的刻蝕方法，其特征在于，所述將非常規尺寸芯片粘附在帶有犧牲層的襯底上形成待刻蝕件，還包括以下步驟：

S113將所述非常規芯片順時針或逆時針旋轉一定角度。

4.根據權利要求3所述的非常規尺寸芯片的刻蝕方法，其特征在于，所述將非常規尺寸芯片粘附在帶有犧牲層的襯底上形成待刻蝕件，還包括以下步驟：

S114將所述襯底上多余的有機結合劑清除干凈。

5.根據權利要求2或3所述的非常規尺寸芯片的刻蝕方法，其特征在于，所述將所述待刻蝕件置入刻蝕設備中進行刻蝕，得到刻蝕件之前，還包括步驟：

S115將所述待刻蝕件放在表面平整的金屬冷卻塊上進行降溫處理。

6.根據權利要求1所述的非常規尺寸芯片的刻蝕方法，其特征在于，所述加熱板的溫度為100-120℃。

7.根據權利要求2所述的非常規尺寸芯片的刻蝕方法，，其特征在于，所述有機結合劑為高導熱性材料。

8.根據權利要求1任一所述的多層堆疊陽極鍵合結構，其特征在于，所述有機結合劑為高溫硅油或者高溫蠟。

9.根據權利要求1所述的非常規尺寸芯片的刻蝕方法，其特征在于，所述犧牲層通過化學氣相沉積法、旋涂固烘法、粘貼法中的一種方法形成。

10.根據權利要求1所述的非常規尺寸芯片的刻蝕方法，其特征在于，所述犧牲層為的厚度小于10微米。

11.根據權利要求1所述的非常規尺寸芯片的刻蝕方法，其特征在于，所述犧牲層為抗腐蝕能力強的薄膜材料。