[發明專利]內存裝置、封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202210166439.6
• 申請日: 2022-02-23
• 公開（公告）號: CN115377074A
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發明（設計）人: 江鎧名;李兆偉;蔡瑋倫;林家民;蔡易達;翁圣豐;陳又豪;邱圣翔;林志偉;謝靜華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/31;H01L23/16;H01L23/498;H01L21/78;H01L21/683
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 康艷青;王琳

1.一種內存裝置，包括：

基座半導體管芯；

多個導電端子，設置在所述基座半導體管芯的第一表面上；

多個內存管芯，堆棧在所述基座半導體管芯的第二表面上，所述第二表面與所述第一表面相對；

絕緣包封體，設置在所述基座半導體管芯的所述第二表面上并且側向地包封所述內存管芯；以及

緩沖蓋，覆蓋所述基座半導體管芯的所述第一表面、所述基座半導體管芯的側壁以及所述絕緣包封體的側壁。

2.如權利要求1所述的內存裝置，其中所述基座半導體管芯的寬度大于所述內存管芯的寬度。

3.如權利要求1所述的內存裝置，其中所述緩沖蓋包括：

第一緩沖層，覆蓋所述基座半導體管芯的所述第一表面、所述基座半導體管芯的所述側壁以及所述絕緣包封體的所述側壁的上部分；以及

第二緩沖層，覆蓋所述絕緣包封體的所述側壁的底部分，其中所述第一緩沖層的側壁與所述第二緩沖層的側壁實質上對齊。

4.如權利要求3所述的內存裝置，其中所述第一緩沖層包括：

基部，覆蓋所述基座半導體管芯的所述第一表面并且側向地包封所述導電端子；以及

環形突出部，從所述基部延伸至覆蓋住所述基座半導體管芯的所述側壁與所述絕緣包封體的所述側壁的所述上部分。

5.一種封裝結構，包括：

電子裝置，具有頂表面，所述電子裝置包括分布于所述頂表面上的導電端子；

緩沖蓋，覆蓋所述電子裝置的所述頂表面與側壁，其中所述緩沖蓋包括：

第一緩沖層，覆蓋所述電子裝置的所述頂表面與所述電子裝置的所述側壁的上部分，其中所述導電端子貫穿所述第一緩沖層；

第二緩沖層，覆蓋所述電子裝置的所述側壁的底部分，其中所述第一緩沖層的側壁與所述第二緩沖層的側壁實質上對齊；以及

第一絕緣包封體，側向地包封裝所述電子裝置與所述緩沖蓋。

6.如權利要求5所述的封裝結構，其中所述電子裝置包括內存裝置，并且所述內存裝置包括：

基座半導體管芯，所述導電端子設置在所述基座半導體管芯的第一表面上；

內存管芯，堆棧在所述基座半導體管芯的第二表面上，所述第二表面與所述第一表面相對；以及

第二絕緣包封體，設置在所述基座半導體管芯的所述第二表面上并且側向地包封所述內存管芯，所述緩沖蓋覆蓋所述基座半導體管芯的所述第一表面、所述基座半導體管芯的側壁以及所述絕緣包封體的側壁，其中所述第一絕緣包封體借由所述緩沖蓋與所述第二絕緣包封體分隔。

7.如權利要求6所述的封裝結構，其中所述第一緩沖層包括：

基部，覆蓋所述基座半導體管芯的所述第一表面并且側向地包封所述導電端子；以及

環形突出部，從所述基部延伸至覆蓋住所述基座半導體管芯的所述側壁與所述絕緣包封體的所述側壁的所述上部分。

8.如權利要求7所述的封裝結構，其中所述環形突出部包括與所述第二緩沖層接觸的平坦表面、弧狀且凸出的表面或弧狀且凹入的表面。

9.一種封裝結構的制造方法，包括：

提供具有頂表面的電子裝置，所述電子裝置包括分布于所述頂表面的導電端子；

將所述電子裝置嵌入緩沖蓋的第一緩沖層中，以使得所述第一緩沖層覆蓋所述電子裝置的所述頂表面、所述導電端子以及所述電子裝置的所述側壁的上部分；

在所述第一緩沖層上形成所述緩沖蓋的第二緩沖層，所述第二緩沖層覆蓋所述電子裝置的所述側壁的底部分，其中所述第一緩沖層的側壁與所述第二緩沖層的側壁實質上對齊；

形成絕緣包封材料以覆蓋被所述第一緩沖與所述第二緩沖層包封的所述電子裝置；

部分移除所述絕緣包封材料與所述緩沖蓋的所述第一緩沖層，直到暴露出所述導電端子；以及

在所述緩沖蓋與所述絕緣包封材料上形成重布線路結構，其中所述重布線路結構與所述電子裝置的所述導電端子電性連接。

10.如權利要求9所述的方法，其中在所述緩沖蓋的所述第一緩沖層中嵌入所述電子裝置以及在所述第一緩沖層上形成所述緩沖蓋的所述第二緩沖層包括：

在第一載體上形成第一緩沖材料層；

將所述電子裝置壓到所述第一載體所承載的所述第一緩沖材料層上，以使得所述電子裝置部分地陷入所述第一緩沖材料層；

固化所述第一緩沖材料層；

形成第二緩沖材料層以覆蓋所述第一緩沖材料層與所述電子裝置；

部分移除所述第二緩沖材料層，直到暴露出所述電子裝置；以及

執行切割工藝以切割所述第一緩沖材料層與所述第二緩沖材料層，從而獲得被所述第一緩沖層與所述第二緩沖層包封的所述電子裝置。