[發(fā)明專利]車用電驅(qū)系統(tǒng)的多目標控制充電優(yōu)化方法及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210165677.5 | 申請日: | 2022-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN114537196A | 公開(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張曾輝;豐樹帥;李一粟 | 申請(專利權(quán))人: | 上海臨港電力電子研究有限公司 |
| 主分類號: | B60L53/62 | 分類號: | B60L53/62;B60L53/10;G06N3/00 |
| 代理公司: | 上海雍灝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31368 | 代理人: | 沈汶波 |
| 地址: | 201306 上海市浦東新區(qū)*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用電 系統(tǒng) 多目標 控制 充電 優(yōu)化 方法 裝置 | ||
1.一種車用電驅(qū)系統(tǒng)的多目標控制充電優(yōu)化方法,其特征在于,包括:
獲取電機參數(shù)以及系數(shù)集,其中,所述系數(shù)集包含若干電角度,且每一電角度均關(guān)聯(lián)一分配比集;所述電機參數(shù)包括寄生電阻、極對數(shù)、永磁體磁鏈;
根據(jù)輸入電流和所述系數(shù)集計算各個電角度和分配比下d軸和q軸的電流,并采集對應(yīng)的電感,以擬合獲得各個電角度和分配比下d軸和q軸的電感飽和率;
建立第一優(yōu)化函數(shù),所述第一優(yōu)化函數(shù)根據(jù)所述電感飽和率生成用于表征電流紋波抗飽和特性的第一指標;
建立第二優(yōu)化函數(shù),所述第二優(yōu)化函數(shù)根據(jù)所述寄生電阻以及系數(shù)集生成用于表征電流導(dǎo)通損耗的第二指標;
建立第三優(yōu)化函數(shù),所述第三優(yōu)化函數(shù)根據(jù)所述極對數(shù)、永磁體磁鏈、d軸和q軸的電流和電感,以及系數(shù)集生成用于表征充電扭矩的第三指標;
基于所述第一優(yōu)化函數(shù)、所述第二優(yōu)化函數(shù)以及所述第三優(yōu)化函數(shù)加權(quán)優(yōu)化,獲得充電特性關(guān)于電角度和分配比的目標優(yōu)化函數(shù);
獲取目標電角度,從所述系數(shù)集中獲取與目標電角度匹配的分配比集;
獲取所述目標電角度下各個分配比對應(yīng)的電感飽和率,生成第二數(shù)據(jù)集;
在所述分配比集中基于所述目標優(yōu)化函數(shù)和所述第二數(shù)據(jù)集執(zhí)行尋優(yōu)算法,獲得在所述目標電角度下最優(yōu)充電特性的分配比,以獲得目標分配比;
根據(jù)所述目標分配比執(zhí)行在充電狀態(tài)下對輸入電流的控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化方法,其特征在于,所述根據(jù)輸入電流和所述系數(shù)集計算各個電角度和分配比下d軸和q軸的電流,包括以下:
對于任一電角度和分配比,
d軸、q軸的電流分別根據(jù)下述公式計算:
其中,Id、Iq分別為d軸、q軸的電流;θ為電角度;IU=p·Iin;IV=(1-p)·Iin;IW=-Iin;Iin為輸入電流,p為分配比。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化方法,其特征在于,所述擬合獲得各個電角度和分配比下d軸和q軸的電感飽和率,包括以下:
對于任一電角度和分配比,
采用線性最小二乘法根據(jù)獲得的所述電角度和分配比下的d軸和q軸電感和電流,擬合所述d軸和q軸電感隨電流的變化曲線;
根據(jù)所述變化曲線分別獲得所述d軸和q軸下電感飽和效應(yīng)引起的曲線變化斜率,為所述d軸和q軸的電感飽和率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化方法,其特征在于,所述建立第一優(yōu)化函數(shù),所述第一優(yōu)化函數(shù)根據(jù)所述電感飽和率生成用于表征電流紋波抗飽和特性的第一指標,包括:
所述第一優(yōu)化函數(shù)設(shè)置為
其中,所述f1為第一指標,Ld、Lq分別為d軸和q軸的電感;ΔLd、ΔLq分別為d軸和q軸因飽和效應(yīng)產(chǎn)生衰減量;
其中,K1、K2分別為所述d軸和q軸的電感飽和率,Id、Iq分別為d軸和q軸的電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化方法,其特征在于,所述建立第二優(yōu)化函數(shù),所述第二優(yōu)化函數(shù)根據(jù)所述寄生電阻以及系數(shù)集生成用于表征電流導(dǎo)通損耗的第二指標,包括:
所述第二優(yōu)化函數(shù)設(shè)置為f2=(p2+(1-p)2)·IinRs;
其中,f2為第二指標,p為分配比,Iin為輸入電流;Rs為寄生電阻。
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