[發(fā)明專利]一種無引線磁性封裝結構及其制造方法

有效

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• 申請日: 2022-02-23
• 公開（公告）號: CN114242654B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設計）人: 汪俊朋
• 申請（專利權）人: 威海嘉瑞光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/52;H05K9/00
• 代理公司: 蘇州三英知識產(chǎn)權代理有限公司 32412
• 代理人: 錢超

1.一種無引線磁性封裝結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在封裝基板上相鄰地鍵合一待磁屏蔽芯片和一磁芯片，其中，所述磁芯片的高度大于所述待磁屏蔽芯片的高度；

（2）在所述待磁屏蔽芯片與所述封裝基板之間、所述磁芯片與所述封裝基板之間填充底部填充劑；

（3）在所述待磁屏蔽芯片和磁芯片之間填充磁屏蔽樹脂層，所述磁屏蔽樹脂層具有從所述磁芯片向所述待磁屏蔽芯片傾斜的第一連接面以及從所述磁屏蔽樹脂層的上表面向所述封裝基板上表面傾斜的第二連接面；

（4）在所述磁屏蔽樹脂層的上表面形成電連接所述待磁屏蔽芯片的上電極和所述磁芯片的上電極的布線圖案；

（5）形成密封層，以包覆所述待磁屏蔽芯片、磁芯片和布線圖案；

其中，所述布線圖案包括連接部和相較于所述連接部較窄的第一延伸部和第二延伸部，其中，所述連接部橫跨所述磁屏蔽樹脂層與所述待磁屏蔽芯片和磁芯片之間的界面，所述第一延伸部和第二延伸部的一端分別連接于所述連接部的兩側(cè)，另一端分別連接于所述待磁屏蔽芯片的上電極和所述磁芯片的上電極。

2.根據(jù)權利要求1所述的無引線磁性封裝結構的制造方法，其特征在于，所述布線圖案還包括相較于所述連接部較窄的第三延伸部，所述第三延伸部連接于所述布線圖案的另一側(cè)，并且沿著所述第二連接面延伸至所述封裝基板的上表面以電連接所述封裝基板。

3.根據(jù)權利要求2所述的無引線磁性封裝結構的制造方法，其特征在于，形成所述布線圖案具體包括：在所述磁屏蔽樹脂層、磁屏蔽芯片和磁芯片的上表面沉積一層金屬，然后進行蝕刻以形成所述布線圖案。

4.根據(jù)權利要求3所述的無引線磁性封裝結構的制造方法，其特征在于，填充所述磁屏蔽樹脂層具體包括利用分散有磁性顆粒的樹脂材料填充于所述待磁屏蔽芯片和磁芯片之間，然后進行熱固化并經(jīng)烘烤，以形成具有圓滑表面的所述第一連接面和第二連接面。

5.一種無引線磁性封裝結構，其通過權利要求1所述的制造方法形成，其特征在于，該無引線磁性封裝結構包括：

封裝基板；

一待磁屏蔽芯片和一磁芯片，相鄰地鍵合于所述封裝基板上，其中，所述磁芯片的高度大于所述待磁屏蔽芯片的高度；

底部填充劑，填充在所述待磁屏蔽芯片與所述封裝基板之間、所述磁芯片與所述封裝基板之間；

磁屏蔽樹脂層，填充在所述待磁屏蔽芯片和磁芯片之間，所述磁屏蔽樹脂層具有從所述磁芯片向所述待磁屏蔽芯片傾斜的第一連接面以及從所述磁屏蔽樹脂層的上表面向所述封裝基板上表面傾斜的第二連接面；

布線圖案，形成在所述磁屏蔽樹脂層的上表面上，且電連接所述待磁屏蔽芯片的上電極和所述磁芯片的上電極；以及

密封層，包覆所述待磁屏蔽芯片、磁芯片和布線圖案；

其中，所述布線圖案包括連接部和相較于所述連接部較窄的第一延伸部和第二延伸部，其中，所述連接部橫跨所述磁屏蔽樹脂層與所述待磁屏蔽芯片和磁芯片之間的界面，所述第一延伸部和第二延伸部的一端分別連接于所述連接部的兩側(cè)，另一端分別連接于所述待磁屏蔽芯片的上電極和所述磁芯片的上電極。

6.根據(jù)權利要求5所述的無引線磁性封裝結構，其特征在于，所述布線圖案還包括相較于所述連接部較窄的第三延伸部，所述第三延伸部連接于所述布線圖案的另一側(cè)，并且沿著所述第二連接面延伸至所述封裝基板的上表面以電連接所述封裝基板。

7.根據(jù)權利要求6所述的無引線磁性封裝結構，其特征在于，所述第三延伸部沿著所述待磁屏蔽芯片和磁芯片之間的間隙延伸。

8.根據(jù)權利要求5所述的無引線磁性封裝結構，其特征在于，所述磁屏蔽樹脂層由分散有磁性顆粒的樹脂材料形成。