[發明專利]一種電池串返修裝置在審
| 申請號: | 202210163709.8 | 申請日: | 2022-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN114695596A | 公開(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發明(設計)人: | 王群;鮑沖;沈博 | 申請(專利權)人: | 無錫奧特維科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/05;H01L21/677;H01L21/683;H01L21/66 |
| 代理公司: | 無錫永樂唯勤專利代理事務所(普通合伙) 32369 | 代理人: | 孫際德 |
| 地址: | 214000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電池 返修 裝置 | ||
1.一種電池串返修裝置,其特征在于,所述電池串返修裝置包括進料檢測機構、補虛焊及換片一體機構、轉運機構,其中:
所述進料檢測機構用于檢測待返修電池串以確定所述待返修電池串存在的缺陷;
所述轉運機構至少用于將所述待返修電池串自所述進料檢測機構轉運至所述補虛焊及換片一體機構;
所述補虛焊及換片一體機構用于對待換片的待返修電池串中的待換片電池片進行換片,以及在所述待返修電池串的上側對待補上表面虛焊的待返修電池串上表面的虛焊位置補虛焊,在所述待返修電池串的下側對待補下表面虛焊的待返修電池串下表面的虛焊位置補虛焊。
2.如權利要求1所述的電池串返修裝置,其特征在于,所述補虛焊及換片一體機構包括焊臺、視覺裝置、電池片取放機構、焊帶切斷機構、焊帶夾持機構及焊接機構,其中:
所述焊臺用于承載所述待返修電池串;
所述視覺裝置用于確定所述待返修電池串中的待返修電池片的位置或虛焊位置;
所述焊接機構用于對待補虛焊的待返修電池串的上表面虛焊位置和/或下表面虛焊位置補虛焊;
所述焊帶切斷機構用于切斷待換片的待返修電池串中需要被替換的缺陷電池片與鄰接電池片之間的焊帶;所述電池片取放機構用于取走被切下的所述缺陷電池片,以及將替換電池片上料至所述缺陷電池片被取走后空出的位置,所述替換電池片的正面和背面已焊接好焊帶;所述焊帶夾持機構將所述替換電池片上的焊帶與所述鄰接電池片上的焊帶一一對應夾持在一起;所述焊接機構將被夾持的各對焊帶焊接在一起。
3.如權利要求2所述的電池串返修裝置,其特征在于,所述電池串返修裝置還包括替換電池片供應機構,所述替換電池片供應機構用于供應已規整定位的所述替換電池片,所述電池片取放機構從所述替換電池片供應機構上拾取已規整定位的替換電池片并將所述替換電池片上料至所述缺陷電池片被取走后空出的位置。
4.如權利要求2所述的電池串返修裝置,其特征在于,所述焊接機構包括設置在所述焊臺上側的第一焊接機構和設置在所述焊臺下側的第二焊接機構,所述視覺裝置包括設置在所述焊臺上側的第一視覺裝置和設置在所述焊臺下側的第二視覺裝置,其中:
所述第一視覺裝置用于判斷所述焊臺上待返修電池串中缺陷電池片的位置或缺陷電池片上表面的虛焊位置,所述第一焊接機構用于從所述焊臺上側對待補上表面虛焊的待返修電池串上表面的虛焊位置補虛焊,以及實施對待換片的待返修電池串中替換電池片兩端的焊帶焊接;
所述第二視覺裝置用于判斷所述焊臺上待返修電池串中缺陷電池片下表面的虛焊位置,所述第二焊接機構用于從所述焊臺下側對待補下表面虛焊的待返修電池串下表面的虛焊位置補虛焊。
5.如權利要求4所述的電池串返修裝置,其特征在于,所述焊接機構還包括第一助焊劑涂抹機構和第二助焊劑涂抹機構,其中:
所述第一助焊劑涂抹機構用于在所述焊帶夾持機構夾持焊帶前將助焊劑涂抹至所述上表面虛焊位置處,或涂抹在所述替換電池片與鄰接電池片的焊帶搭接位置處;
所述第二助焊劑涂抹機構用于在所述焊帶夾持機構夾持焊帶前將助焊劑涂抹至所述下表面虛焊位置處。
6.如權利要求2所述的電池串返修裝置,其特征在于,所述焊帶切斷機構為激光切割機構、機械切割機構或超聲切割機構。
7.如權利要求2所述的電池串返修裝置,其特征在于,所述焊接機構為激光焊接機構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫奧特維科技股份有限公司,未經無錫奧特維科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210163709.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





