[發(fā)明專利]一種集成電路版圖電流密度超標(biāo)區(qū)域優(yōu)化方法及系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210161463.0
• 申請(qǐng)日: 2022-02-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114357941B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王芬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京智芯仿真科技有限公司
• 主分類號(hào): G06F30/398
• 分類號(hào): G06F30/398;G06F30/392;G06F30/23;G06F115/12
• 代理公司: 北京星通盈泰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11952
• 代理人: 李筱

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種集成電路版圖電流密度超標(biāo)區(qū)域優(yōu)化方法及系統(tǒng)，屬于集成電路優(yōu)化設(shè)計(jì)領(lǐng)域，主要包括：基于集成電路版圖電流密度超標(biāo)區(qū)域的精確標(biāo)定，根據(jù)所述標(biāo)定區(qū)域的分布規(guī)律提出兩類電流密度超標(biāo)區(qū)域；針對(duì)第一類超標(biāo)區(qū)域，基于剖分的網(wǎng)格單元采用鄰居擴(kuò)充法在同層增大超標(biāo)區(qū)域的面積，在同層可擴(kuò)充的面積不夠的情況下找到有多余空間的層并在該層對(duì)應(yīng)位置采用單元搜索與鄰居擴(kuò)充法增加版圖多邊形面積的方法優(yōu)化電路；針對(duì)第二類超標(biāo)區(qū)域，采用在過(guò)孔V周圍均勻布置新過(guò)孔的方法優(yōu)化電路；本申請(qǐng)實(shí)現(xiàn)了集成電路版圖中兩類電流密度超標(biāo)區(qū)域劃分和所述超標(biāo)區(qū)域的針對(duì)性優(yōu)化。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)屬于集成電路優(yōu)化設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體涉及一種集成電路版圖電流密度超標(biāo)區(qū)域優(yōu)化方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)

目前，針對(duì)集成電路版圖上電流密度超標(biāo)區(qū)域的標(biāo)定通常為矩形區(qū)域標(biāo)定，這種標(biāo)定方法針對(duì)早期結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的版圖形狀是有效的，能夠從標(biāo)定的區(qū)域很快識(shí)別出電流密度超標(biāo)位置，從而對(duì)設(shè)計(jì)的版圖進(jìn)行優(yōu)化和整改，但隨著集成電路版圖形狀越來(lái)越復(fù)雜，原來(lái)的標(biāo)定方法不再有效，具體表現(xiàn)在，存在大量的彎曲的帶狀版圖多邊形，如果這種版圖多邊形上的電流密度超標(biāo)，按照傳統(tǒng)的標(biāo)定方法，則將包括整個(gè)帶狀版圖多邊形的超標(biāo)的矩形區(qū)域都包括進(jìn)來(lái)，這個(gè)矩形區(qū)域內(nèi)部還包含了大量不超標(biāo)的版圖多邊形，因此這個(gè)標(biāo)定基本是無(wú)效的，并不能從標(biāo)定的區(qū)域精準(zhǔn)獲取有用信息。因?yàn)橥ㄟ^(guò)傳統(tǒng)方法標(biāo)定，用戶獲得的是框定電流超標(biāo)版圖多邊形的左下角和右上角的矩形，當(dāng)這個(gè)左下角和右上角相差很遠(yuǎn)時(shí)，矩形框?qū)罅坎怀瑯?biāo)的版圖多邊形，用戶無(wú)法精準(zhǔn)確定這個(gè)矩形框內(nèi)有哪些版圖多邊形是真正超標(biāo)的，從而無(wú)法只針對(duì)超標(biāo)的版圖多邊形進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。

現(xiàn)根據(jù)最新的集成電路版圖電流密度超標(biāo)區(qū)域標(biāo)定方法，對(duì)新的版圖設(shè)計(jì)模型進(jìn)行直流壓降分析，可以找出電流密度超標(biāo)區(qū)域，實(shí)現(xiàn)集成電路版圖電流密度超標(biāo)區(qū)域的精確標(biāo)定。

基于超標(biāo)區(qū)域邊界的類型判斷出電流密度超標(biāo)的類型：如果這個(gè)電流密度超標(biāo)區(qū)域的所有邊界同時(shí)也是版圖多邊形的邊界，那說(shuō)明這個(gè)電流密度是在這個(gè)整個(gè)版圖多邊形區(qū)域內(nèi)超標(biāo)；如果這個(gè)電流密度超標(biāo)區(qū)域的邊界只有一部分或者全都不是版圖多邊形的邊界，那么這個(gè)電流密度一定是由過(guò)孔出發(fā)形成的局部超標(biāo)。針對(duì)具備這兩類電流密度超標(biāo)區(qū)域的集成電路版圖，目前還沒(méi)有只針對(duì)電流密度超標(biāo)區(qū)域進(jìn)行優(yōu)化的方案。

發(fā)明內(nèi)容

為解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N集成電路版圖電流密度超標(biāo)區(qū)域優(yōu)化方法及系統(tǒng)。

第一方面，本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N集成電路版圖電流密度超標(biāo)區(qū)域優(yōu)化方法，包括如下步驟：

步驟S1：計(jì)算每層集成電路版圖中網(wǎng)格剖分單元的電流密度，通過(guò)標(biāo)定電流密度超標(biāo)區(qū)域，判斷是否有電流密度超標(biāo)區(qū)域；

若有電流密度超標(biāo)區(qū)域，轉(zhuǎn)入步驟S2；

若沒(méi)有電流密度超標(biāo)區(qū)域，轉(zhuǎn)入步驟S10；

步驟S2：根據(jù)電流密度超標(biāo)區(qū)域的分布規(guī)律定義兩類電流密度超標(biāo)區(qū)域，并判斷所述電流密度超標(biāo)區(qū)域?qū)儆谀念惓瑯?biāo)區(qū)域；

若判斷所述電流密度超標(biāo)區(qū)域?yàn)榈谝活惓瑯?biāo)區(qū)域，轉(zhuǎn)入步驟S3；

若判斷所述電流密度超標(biāo)區(qū)域?yàn)榈诙惓瑯?biāo)區(qū)域，轉(zhuǎn)入步驟S8；

步驟S3：確定第一類超標(biāo)區(qū)域的電位最高點(diǎn)A和電位最低點(diǎn)B，計(jì)算第一類超標(biāo)區(qū)域的電流密度平均值；

步驟S4：根據(jù)第一類超標(biāo)區(qū)域的電流密度平均值與電流密度允許最大值的比值，在當(dāng)前層增大第一類超標(biāo)區(qū)域的面積；

步驟S5：更新第一類超標(biāo)區(qū)域的電流密度平均值，判斷所述第一類超標(biāo)區(qū)域的面積是否增大成功，若判斷增大成功，轉(zhuǎn)入步驟S9，否則，轉(zhuǎn)入步驟S6；