[發明專利]存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 202210160600.9
• 申請日: 2022-02-22
• 公開（公告）號: CN114220765B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 華文宇;程衛華;朱宏斌;劉威;劉藩東
• 申請（專利權）人: 芯盟科技有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/78
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 任曉;徐川

1.一種存儲器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供襯底；

在所述襯底中形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一隔離結構；所述第一方向平行于所述襯底表面；所述第一隔離結構的第一厚度小于所述襯底的厚度；

在所述襯底中形成沿第二方向延伸的若干相互平行的第一溝槽；所述第二方向平行于所述襯底表面且與所述第一方向垂直；所述第一溝槽與所述第一隔離結構將所述襯底劃分為多個溝道柱；其中，所述第一溝槽具有相對的第一側壁和第二側壁；

在所述第一溝槽內形成字線結構和第二隔離結構；其中，所述字線結構和所述第二隔離結構并列排布，且沿所述第一溝槽的側壁延伸；

在所述字線結構相鄰的所述溝道柱的表面形成存儲結構；

其中，所述在所述第一溝槽內形成字線結構和第二隔離結構，包括：

形成覆蓋所述第一側壁的第一犧牲層和覆蓋所述第二側壁的第二犧牲層；

去除所述第一犧牲層，在所述去除所述第一犧牲層的位置形成字線結構；

去除所述第二犧牲層，在所述去除所述第二犧牲層的位置形成第二隔離結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述第一溝槽底部形成第二厚度的第三隔離結構；所述第二厚度小于所述第一溝槽的深度；所述字線結構和所述第二隔離結構形成于所述第三隔離結構上方。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

形成覆蓋所述第一溝槽內壁的第一氧化層；

形成覆蓋所述第一氧化層的第一保護層；

所述在所述第一溝槽底部形成第二厚度的第三隔離結構，包括：

在內壁覆蓋有所述第一氧化層和所述第一保護層的所述第一溝槽內，形成所述第三隔離結構。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在內壁覆蓋有所述第一氧化層和所述第一保護層的所述第一溝槽內，形成所述第三隔離結構，包括：

在內壁覆蓋有所述第一氧化層和所述第一保護層的所述第一溝槽內，填充絕緣材料；

去除至少部分所述絕緣材料，使所述第一溝槽底部保留第二厚度的所述絕緣材料以形成所述第三隔離結構；

去除所述第三隔離結構上方的所述第一保護層。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一溝槽內形成字線結構和第二隔離結構，包括：

在所述第三隔離結構上方，形成覆蓋所述第一溝槽的第一側壁的第一犧牲層，并形成覆蓋所述第一溝槽的第二側壁的第二犧牲層；

在所述第一犧牲層和所述第二犧牲層之間形成間隔層；

去除所述第一犧牲層，形成第二溝槽；

在所述第二溝槽中形成所述字線結構；

去除所述第二犧牲層，形成第三溝槽；

在所述第三溝槽中形成所述第二隔離結構。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成覆蓋所述第一溝槽的第一側壁的第一犧牲層，并形成覆蓋所述第一溝槽的第二側壁的第二犧牲層，包括：

在所述第一溝槽內形成覆蓋所述第一溝槽內壁的犧牲層；

去除所述第三隔離結構上表面的部分所述犧牲層，形成相互分離的所述第一犧牲層和所述第二犧牲層。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一犧牲層，形成第二溝槽，包括：

在所述第二犧牲層靠近所述襯底表面的一端上形成第四溝槽；

在所述第四溝槽中形成覆蓋所述第二犧牲層的第二保護層；

去除所述第一犧牲層，形成所述第二溝槽。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述去除所述第二犧牲層，形成第三溝槽，包括：

去除所述第二保護層；

去除所述第二犧牲層，形成所述第三溝槽。