[發明專利]存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 202210160600.9
• 申請日: 2022-02-22
• 公開（公告）號: CN114220765B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 華文宇;程衛華;朱宏斌;劉威;劉藩東
• 申請（專利權）人: 芯盟科技有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/78
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 任曉;徐川

本申請提供一種存儲器及其制造方法，所述制造方法包括：提供襯底；在所述襯底中形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一隔離結構；所述第一方向平行于所述襯底表面；所述第一隔離結構的第一厚度小于所述襯底的厚度；在所述襯底中形成沿第二方向延伸的若干相互平行的第一溝槽；所述第二方向平行于所述襯底表面且與所述第一方向垂直；所述第一溝槽與所述第一隔離結構將所述襯底劃分為多個溝道柱；在所述第一溝槽內形成字線結構和第二隔離結構；其中，所述字線結構和所述第二隔離結構并列排布，且沿所述第一溝槽的側壁延伸；在所述字線結構相鄰的所述溝道柱的表面形成存儲結構。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，具體是涉及一種存儲器及其制造方法。

背景技術

隨著當今科學技術的不斷發展，存儲器被廣泛地應用于各種電子設備。隨機存取存儲器（Random Access Memory，RAM）是一種易失性存儲器，是計算機中常用的半導體存儲器件。

隨機存取存儲器由多個重復的存儲單元組成，每一個存儲單元主要由一個晶體管與一個由晶體管所操控的電容所構成，且每一個存儲單元通過字線與位線彼此電連接。然而，這種隨機存取存儲器存在存儲單元占用面積較大、布線復雜，制造工藝難度大等問題。

發明內容

有鑒于此，本申請實施例提供了一種存儲器及其制造方法。

第一方面，本申請實施例提供了一種存儲器的制造方法，所述方法包括：

提供襯底；

在所述襯底中形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一隔離結構；所述第一方向平行于所述襯底表面；所述第一隔離結構的第一厚度小于所述襯底的厚度；

在所述襯底中形成沿第二方向延伸的若干相互平行的第一溝槽；所述第二方向平行于所述襯底表面且與所述第一方向垂直；所述第一溝槽與所述第一隔離結構將所述襯底劃分為多個溝道柱；

在所述第一溝槽內形成字線結構和第二隔離結構；其中，所述字線結構和所述第二隔離結構并列排布，且沿所述第一溝槽的側壁延伸；

在所述字線結構相鄰的所述溝道柱的表面形成存儲結構。

在一些實施例中，所述方法還包括：

在所述第一溝槽底部形成第二厚度的第三隔離結構；所述第二厚度小于所述第一溝槽的深度；所述字線結構和所述第二隔離結構形成于所述第三隔離結構上方。

在一些實施例中，所述方法還包括：

形成覆蓋所述第一溝槽內壁的第一氧化層；

形成覆蓋所述第一氧化層的第一保護層；

所述在所述第一溝槽底部形成第二厚度的第三隔離結構，包括：

在內壁覆蓋有所述第一氧化層和所述第一保護層的所述第一溝槽內，形成所述第三隔離結構。

在一些實施例中，所述在內壁覆蓋有所述第一氧化層和所述第一保護層的所述第一溝槽內，形成所述第三隔離結構，包括：

在內壁覆蓋有所述第一氧化層和所述第一保護層的所述第一溝槽內，填充絕緣材料；

去除至少部分所述絕緣材料，使所述第一溝槽底部保留所述第二厚度的所述絕緣材料以形成所述第三隔離結構；

去除所述第三隔離結構上方的所述第一保護層。

在一些實施例中，所述在所述第一溝槽內形成字線結構和第二隔離結構，包括：

在所述第三隔離結構上方，形成覆蓋所述第一溝槽的第一側壁的第一犧牲層，并形成覆蓋所述第一溝槽的第二側壁的第二犧牲層；其中，所述第一側壁和所述第二側壁為所述第一溝槽內相對的不同側壁；