[發明專利]扇出型晶圓級封裝方法及封裝結構

在審

• 申請號: 202210157962.2
• 申請日: 2022-02-21
• 公開（公告）號: CN114551258A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 郝兵;姚輝軒
• 申請（專利權）人: 江蘇卓勝微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L25/07;H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；

在所述襯底的第一表面上形成犧牲層；

在所述犧牲層遠離所述襯底的表面上形成第一厚膠層，并采用曝光顯影工藝在所述第一厚膠層內形成凹槽；

提供芯片，并將所述芯片鍵合于所述凹槽內；所述芯片的正面形成有焊盤，所述芯片的正面遠離所述凹槽的底部；所述芯片的厚度大于所述凹槽的厚度；

至少在所述第一厚膠層遠離所述襯底的表面形成第二厚膠層，所述第二厚膠層覆蓋所述芯片；

在所述第二厚膠層上形成有第一開口，所述第一開口暴露出所述焊盤；

在所述第二厚膠層遠離所述第一厚膠層的表面形成重布線層，所述重布線層與所述焊盤相接觸。

2.根據權利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述提供芯片，并將所述芯片鍵合于所述凹槽內之前還包括：

形成粘附層，所述粘附層覆蓋所述第一厚膠層遠離所述襯底的表面、所述凹槽的側壁及所述凹槽的底部。

3.根據權利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述提供芯片，并將所述芯片鍵合于所述凹槽內之前還包括：

在所述凹槽的底部形成粘附層；所述芯片鍵合于所述粘附層遠離所述襯底的表面；

所述芯片與所述凹槽的側壁之間具有間隙，在所述第一厚膠層遠離所述襯底的表面形成第二厚膠層的同時，所述第二厚膠層還填滿所述間隙。

4.根據權利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述在所述第二厚膠層遠離所述第一厚膠層的表面形成重布線層之后還包括：

在所述第二厚膠層遠離所述第一厚膠層的表面形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述重布線層；

在所述鈍化層內形成第二開口，所述第二開口暴露出所述重布線層；

在所述第二開口內形成焊球，所述焊球與所述重布線層相接觸。

5.根據權利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述在所述第二厚膠層遠離所述第一厚膠層的表面形成重布線層之后還包括：

在所述第二厚膠層遠離所述第一厚膠層的表面形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋上一步驟形成所述重布線層；并在所述鈍化層內形成第二開口，所述第二開口暴露出上一步驟形成的所述重布線層；

在上一步驟形成的所述鈍化層遠離所述第二厚膠層的表面及所述第二開口內形成又一重布線層，該步驟形成的所述重布線層與所述第二開口暴露出的重布線層相接觸；

在上一步驟形成的所述重布線層所在的所述鈍化層的表面形成又一鈍化層，該步驟形成的所述鈍化層覆蓋上一步驟形成的所述重布線層；并在該步驟形成的所述鈍化層內形成第三開口，所述第三開口暴露出上一步驟形成的所述重布線層；

在所述第三開口內形成焊球，所述焊球與所述第三開口暴露出的所述重布線層相接觸。

6.根據權利要求5所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，所述在所述第三開口內形成焊球之前還包括重復如下步驟至少一次：

在上一步驟形成的所述鈍化層遠離所述第二厚膠層的表面及所述第二開口內形成又一重布線層，該步驟形成的所述重布線層與所述第二開口暴露出的重布線層相接觸；

在上一步驟形成的所述重布線層所在的所述鈍化層的表面形成又一鈍化層，該步驟形成的所述鈍化層覆蓋上一步驟形成的所述重布線層；并在該步驟形成的所述鈍化層內形成第三開口，所述第三開口暴露出上一步驟形成的所述重布線層。

7.根據權利要求4至6中任一項所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，在所述第一厚膠層內形成多個所述凹槽；將所述芯片鍵合于所述凹槽內之后，各所述凹槽內均鍵合有所述芯片；形成所述焊球之后還包括：

自所述犧牲層處剝離所述犧牲層及所述襯底；

自相鄰所述凹槽之間對所得結構進行切割，以得到多個封裝單元。

8.根據權利要求7所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，不同所述凹槽內鍵合的所述芯片不盡相同。