[發明專利]SGT Mosfet中IPO厚度的可控方法、裝置及介質

有效

• 申請號: 202210154554.1
• 申請日: 2022-02-21
• 公開（公告）號: CN114242578B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 曹榕峰;陳錳宏;章圣武;楊洋
• 申請（專利權）人: 威海銀創微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/67
• 代理公司: 東營辛丁知聯專利代理事務所(普通合伙) 37334
• 代理人: 康寧寧

1.一種SGT Mosfet中IPO厚度的可控方法，其特征在于，所述方法包括：獲取硅溝槽襯底，將預構建的非摻雜氧化硅及源極多晶硅，在所述硅溝槽襯底的溝槽內進行沉積，得到初始沉積溝槽；

按照預定的深度去除標準，將所述初始沉積溝槽中的部分非摻雜氧化硅進行去除，得到原始待氧化沉積溝槽；

利用預構建的植氮設備，在所述原始待氧化沉積溝槽內的源極多晶硅的表面，植入預定濃度及能量的氮原子，得到目標待氧化多晶硅層；

氧化所述目標待氧化多晶硅層及所述原始待氧化沉積溝槽的內壁，分別得到目標厚度IPO氧化層及目標厚度柵極氧化層；

在所述目標厚度IPO氧化層及所述目標厚度柵極氧化層的表面，沉積預構建的柵極多晶硅，完成IPO厚度的調控；

所述獲取硅溝槽襯底，包括：獲取原始襯底，按照預定的SGT Mosfet的結構分區，在所述原始襯底的表面確定刻蝕區；

在所述原始襯底的刻蝕區上，利用預構建的硅溝槽刻蝕工藝，對所述原始襯底進行刻蝕，得到所述硅溝槽襯底；

所述將預構建的非摻雜氧化硅及源極多晶硅，在所述硅溝槽襯底的溝槽內進行沉積，得到初始沉積溝槽，包括：將所述非摻雜氧化硅進行液化，得到液化非摻雜氧化硅；

調節所述液化非摻雜氧化硅的環境溫度，得到氣化非摻雜氧化硅；

將所述氣化非摻雜氧化硅在所述硅溝槽襯底的溝槽內進行均勻沉積，得到覆蓋硅沉積層的硅沉積溝槽；

將所述源極多晶硅，在所述硅沉積溝槽內進行沉積，得到源極沉積溝槽；

對所述源極沉積溝槽的內表面及源極多晶硅進行打磨，得到所述初始沉積溝槽；

所述按照預定的深度去除標準，將所述初始沉積溝槽中的部分非摻雜氧化硅進行去除，得到原始待氧化沉積溝槽，包括：測算所述初始沉積溝槽內源極多晶硅的深度；

按照預定的深度去除標準，根據所述源極多晶硅的深度，確定所述硅沉積層的去除深度數值；

將所述初始沉積溝槽內的硅沉積層，按照所述去除深度數值進行劃分，得到硅沉積層應去除部分；

去除所述硅沉積層應去除部分，得到所述原始待氧化沉積溝槽；

所述利用預構建的植氮設備，在所述原始待氧化沉積溝槽內的源極多晶硅的表面，植入預定濃度及能量的氮原子，得到目標待氧化多晶硅層，包括：獲取目標IPO厚度值，利用所述植氮設備，根據所述目標IPO厚度值，制備目標濃度及能量的氮原子；

利用所述植氮設備，將所述目標濃度及能量的氮原子，植入所述源極多晶硅的上表面，得到所述目標待氧化多晶硅層；

所述利用預構建的植氮設備，在所述原始待氧化沉積溝槽內的源極多晶硅的表面，植入預定濃度及能量的氮原子之前，所述方法還包括：設置濃度及能量遞增的氮原子梯度集，在所述氮原子梯度集中依次提取不同濃度及能量的氮原子梯度值；

利用預構建的原始植氮設備，按照所述氮原子梯度值，制備相應濃度及能量的氮原子，得到待測梯度氮原子；

利用所述原始植氮設備，將所述待測梯度氮原子，植入預構建的多晶硅表面及硅沉積體表面，分別得到測試待氧化多晶硅層及測試待氧化硅沉積層；

氧化所述測試待氧化多晶硅層及測試待氧化硅沉積層，分別得到測試多晶硅氧化層及測試硅沉積氧化層；

測定所述測試多晶硅氧化層及測試硅沉積氧化層的厚度值，得到測試多晶硅氧化厚度值及測試硅沉積氧化厚度值；

根據所述氮原子梯度集中，每一個氮原子梯度值及對應的測試多晶硅氧化厚度值，構建氮原子梯度-IPO厚度調控表；

根據所述氮原子梯度集中，每一個氮原子梯度值及對應的測試硅沉積氧化厚度值，構建氮原子梯度-沉積層氧化厚度調控表；

將所述氮原子梯度-IPO厚度調控表及氮原子梯度-沉積層氧化厚度調控表，錄入所述原始植氮設備，得到所述植氮設備；

所述在所述目標厚度IPO氧化層及所述目標厚度柵極氧化層的表面，沉積預構建的柵極多晶硅，完成IPO厚度的調控，包括：根據所述目標厚度IPO氧化層的氧化厚度及所述硅溝槽襯底的溝槽深度，確定所述柵極多晶硅的深度，得到柵極多晶硅深度值；

按照所述柵極多晶硅深度值，將所述柵極多晶硅在所述目標厚度IPO氧化層的上方進行沉積，得到含有目標IPO厚度的SGT Mosfet。