[發(fā)明專利]一種扇出封裝結構及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210154249.2
• 申請日: 2022-02-21
• 公開（公告）號: CN114242653B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發(fā)明（設計）人: 張琳;王訓朋;邢加明
• 申請（專利權）人: 威海艾迪科電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/538;B82Y30/00
• 代理公司: 蘇州三英知識產權代理有限公司 32412
• 代理人: 潘時偉

1.一種扇出封裝結構的形成方法，其特征在于：該扇出封裝結構的形成方法包括以下步驟：

步驟（1）提供一臨時襯底，在所述臨時襯底上設置一解離層；

步驟（2）在所述解離層上形成第一犧牲材料層，并對所述第一犧牲材料層進行刻蝕處理，以在所述第一犧牲材料層的預定位置形成多個第一穿 孔；

步驟（3）接著在所述第一犧牲材料層上形成第二犧牲材料層，所述第二犧牲材料層覆蓋所述第一犧牲材料層且填充所述第一穿 孔；

步驟（4）接著在所述第二犧牲材料層上形成第一柔性互連圖案層，所述第一柔性互連圖案層中具有第二開孔，所述第二開孔在所述臨時襯底上的投影與所述第一開孔在所述臨時襯底上的投影相互重疊；

步驟（5）接著在所述第二犧牲材料層上形成第一絕緣介質層，所述第一絕緣介質層完全包裹所述第一柔性互連圖案層且填充所述第二開孔；

步驟（6）接著在所述第一絕緣介質層上形成第二柔性互連圖案層，所述第二柔性互連圖案層中具有第三開孔，所述第三開孔在所述臨時襯底上的投影與所述第二開孔在所述臨時襯底上的投影相互重疊；

步驟（7）接著在所述第一絕緣介質層上形成第二絕緣介質層，所述第二絕緣介質層完全包裹所述第二柔性互連圖案層且填充所述第三開孔；

步驟（8）接著在所述第二絕緣介質層上形成第三柔性互連圖案層，所述第三柔性互連圖案層中具有第四開孔，所述第四開孔在所述臨時襯底上的投影與所述第三開孔在所述臨時襯底上的投影相互重疊；

步驟（9）接著在所述第二絕緣介質層上形成第三絕緣介質層，所述第三絕緣介質層完全包裹所述第三柔性互連圖案層且填充所述第四開孔；

步驟（10）接著在所述第三絕緣介質層上設置多個半導體芯片，每個所述半導體芯片均包括第一導電焊盤和第二導電焊盤，所述第一導電焊盤與所述第三柔性互連圖案的第四開孔對應設置；

步驟（11）接著去除所述臨時襯底，接著在所述第一開孔的位置形成穿透所述所述第二犧牲材料層、所述第一絕緣介質層、所述第二絕緣介質層和所述第三絕緣介質層的第一通孔，所述第一通孔暴露所述第一、第二、第三柔性互連圖案層和所述第一導電焊盤；

步驟（12）接著在所述第一通孔中沉積導電材料以形成第一導電通孔，以實現(xiàn)相鄰的所述半導體芯片之間的電連接；

其中，所述第一、第二、第三柔性互連圖案層均通過交替旋涂金屬納米線溶液和沉積金屬銅形成，交替的次數(shù)為5-10次，所述金屬納米線溶液中的金屬納米線為銀納米線、金納米線、鉑納米線、銅納米線、銅鎳合金納米線中的一種，所述金屬納米線的直徑為10-50納米，所述金屬納米線的長度為5-50微米，所述金屬銅的厚度為1-4納米。

2.根據(jù)權利要求1所述的扇出封裝結構的形成方法，其特征在于：在所述步驟（2）和（3）中，所述第一犧牲材料層為金屬材料，而所述第二犧牲材料層為有機材料和/或無機絕緣材料。

3.根據(jù)權利要求1所述的扇出封裝結構的形成方法，其特征在于：在所述步驟（4）中，所述第二開孔的孔徑小于所述第一穿孔的孔徑。

4.根據(jù)權利要求1所述的扇出封裝結構的形成方法，其特征在于：所述第一、第二、第三絕緣介質層的材質是氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種，所述第一、第二、第三絕緣介質層通過化學氣相沉積工藝、熱氧化工藝、原子層沉積工藝中的一種或多種工藝形成。

5.根據(jù)權利要求1所述的扇出封裝結構的形成方法，其特征在于：所述第一導電焊盤的形狀為圓形或正方形，所述第一導電焊盤的直徑或邊長大于所述第一穿孔的孔徑。

6.根據(jù)權利要求1所述的扇出封裝結構的形成方法，其特征在于：在所述第一通孔中沉積導電材料以形成第一導電通孔之前，去除所述第一犧牲材料層且去除所述第二犧牲材料層的一部分，接著對所述第二犧牲材料層的表面進行粗糙化處理。