[發明專利]一種扇出封裝結構及其形成方法

有效

• 申請號: 202210154249.2
• 申請日: 2022-02-21
• 公開（公告）號: CN114242653B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 張琳;王訓朋;邢加明
• 申請（專利權）人: 威海艾迪科電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/538;B82Y30/00
• 代理公司: 蘇州三英知識產權代理有限公司 32412
• 代理人: 潘時偉

本發明涉及一種扇出封裝結構及其形成方法，涉及半導體封裝領域。通過在犧牲材料層上設置所述第一、第二、第三柔性互連圖案層，進而設置第一犧牲材料層的第一穿孔、各柔性互連圖案層的開孔以及所述半導體芯片的第一導電焊盤對應重疊設置，進而利用第一導電通孔實現多層柔性互連圖案層與半導體芯片的第一導電焊盤的電連接，上述結構的設置有效提高相鄰半導體芯片之間的電連接結構的穩固性，進一步的，通過設置所述開孔的孔徑小于所述第一穿孔的孔徑且所述第一導電焊盤的直徑或邊長大于所述第一穿孔的孔徑，進一步確保在形成第一通孔的過程中，有效暴露各柔性互連圖案層，進一步提高電連接的穩固性。

技術領域

本發明涉及半導體封裝領域，特別是涉及一種扇出封裝結構及其形成方法。

背景技術

在現有的半導體封裝結構中，為了實現相鄰半導體芯片之間的電連接，通常需要設置橋接模塊，而為了提高布線結構的精確對準，現有技術中通過在半導體芯片上設置一層布線層，進而開孔工藝實現布線層與半導體芯片的電連接。然而，現有的布線封裝結構中，相鄰半導體芯片之間的電連接結構的穩固性不高，進而容易造成半導體封裝結構穩定性降低。

發明內容

本發明的目的是克服上述現有技術的不足，提供一種扇出封裝結構及其形成方法。

為實現上述目的，本發明采用的技術方案是：

一種扇出封裝結構的形成方法，該扇出封裝結構的形成方法包括以下步驟：

提供一臨時襯底，在所述臨時襯底上依次形成第一犧牲材料層和第二犧牲材料層，在所述第一犧牲材料層的預定位置形成多個第一穿孔，所述第二犧牲材料層填充多個所述第一穿孔。

在所述第二犧牲材料層上多次交替形成柔性互連圖案層和絕緣介質層，每層所述柔性互連圖案層均具有開孔，每層所述絕緣介質層包裹相應的所述柔性互連圖案層且填充相應的所述柔性互連圖案層的開孔，所述開孔在所述臨時襯底上的投影與所述第一穿孔在所述臨時襯底上的投影重疊。

在最上層的所述絕緣介質層上設置多個半導體芯片，每個所述半導體芯片均包括第一導電焊盤和第二導電焊盤，所述第一導電焊盤與所述柔性互連圖案的所述開孔對應設置。

去除所述臨時襯底，接著在所述第一穿孔的位置形成穿透所述第二犧牲材料層和各層所述絕緣介質層的第一通孔，所述第一通孔暴露各層所述柔性互連圖案層和所述第一導電焊盤。

在所述第一通孔中沉積導電材料以形成第一導電通孔，以實現相鄰的所述半導體芯片之間的電連接。

其中，每層所述柔性互連圖案層均通過交替旋涂金屬納米線溶液和沉積金屬銅形成。

在更優選的技術方案中，所述第一犧牲材料層為金屬材料，而所述第二犧牲材料層為有機材料和/或無機絕緣材料。

在更優選的技術方案中，所述開孔的孔徑小于所述第一穿孔的孔徑。

在更優選的技術方案中，所述絕緣介質層的材質是氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種，所述絕緣介質層通過化學氣相沉積工藝、熱氧化工藝、原子層沉積工藝中的一種或多種工藝形成。

在更優選的技術方案中，所述第一導電焊盤的形狀為圓形或正方形，所述第一導電焊盤的直徑或邊長大于所述第一穿孔的孔徑。

在更優選的技術方案中，所述金屬納米線溶液中的金屬納米線為銀納米線、金納米線、鉑納米線、銅納米線、銅鎳合金納米線中的一種，所述金屬納米線的直徑為10-50納米，所述金屬納米線的長度為5-50微米，所述金屬銅的厚度為1-4納米。

在更優選的技術方案中，在所述第一通孔中沉積導電材料以形成第一導電通孔之前，去除所述第一犧牲材料層且去除所述第二犧牲材料層的一部分，接著對所述第二犧牲材料層的表面進行粗糙化處理。