[發(fā)明專利]集成電路結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210152098.7
• 申請(qǐng)日: 2022-02-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115000015A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘誼紋;柯忠祁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

1.一種集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

一基板；

一晶體管，位于該基板上方；

一第一介電質(zhì)層，位于該晶體管上方；

一金屬接觸，位于該第一介電質(zhì)層內(nèi)并與該晶體管電連接；

一第一低k介電質(zhì)層，位于該第一介電質(zhì)層上方；

一第二介電質(zhì)層，位于該第一低k介電質(zhì)層且該第二介電質(zhì)層的一介電常數(shù)高于該第一低k介電質(zhì)層的一介電常數(shù)；以及

一第一金屬特征，延伸穿越該第二介電質(zhì)層和該第一低k介電質(zhì)層至該金屬接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一金屬特征的一寬度隨著距離該基板一距離增加而減少，而該金屬接觸的一寬度隨著距離該基板一距離增加而增加。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含:

一第二低k介電質(zhì)層，位于該第二介電質(zhì)層上方；

一第三介電質(zhì)層，位于該第二低k介電質(zhì)層上方且該第三介電質(zhì)層的一介電常數(shù)高于該第二低k介電質(zhì)層的一介電常數(shù)；以及

一第二金屬特征，位于該第二低k介電質(zhì)層和該第三介電質(zhì)層內(nèi)并與該第一金屬特征電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一金屬特征包含一金屬柱插塞和位于該金屬柱插塞的相對(duì)側(cè)壁上的多個(gè)擴(kuò)散阻擋層，且該金屬柱插塞接觸該金屬接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一蝕刻停止層，位于該第一低k介電質(zhì)層和該第一介電質(zhì)層之間。

6.一種集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

一基板；

一柵極結(jié)構(gòu)，位于該基板上方；

多個(gè)源/漏極區(qū)域，位于該基板上方且位于該柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)；

一源/漏極接觸，位于所述多個(gè)源/漏極區(qū)域的其中一者上方；

一柵極接觸，位于該柵極結(jié)構(gòu)上方；

一源/漏極導(dǎo)電柱，位于該源/漏極接觸上方；

一第一金屬特征，位于該柵極接觸上方；

一第二金屬特征，位于該源/漏極導(dǎo)電柱上方；

一第一低k介電質(zhì)層，側(cè)向地圍繞該第一金屬特征和該第二金屬特征；以及

一第一介電質(zhì)層，側(cè)向地圍繞該第一金屬特征和該第二金屬特征且位于該第一低k介電質(zhì)層上方，其中該第一介電質(zhì)層具有比該該第一低k介電質(zhì)層更高的介電常數(shù)和更小的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，

該第一金屬特征包含一導(dǎo)電柱插塞和位于該導(dǎo)電柱插塞的相對(duì)側(cè)壁上的多個(gè)擴(kuò)散阻擋層，以及

所述多個(gè)擴(kuò)散阻擋層的底表面與該第一低k介電質(zhì)層的一底表面實(shí)質(zhì)上齊平。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電柱插塞的一底表面不具有所述多個(gè)擴(kuò)散阻擋層。

9.一種集成電路結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包含:

在一基板上形成一晶體管；

在該晶體管上方形成一層間介電質(zhì)層；

沉積一金屬層于該層間介電質(zhì)層上方；

圖案化該金屬層以形成一金屬特征；

沉積一低k介電質(zhì)層于該層間介電質(zhì)層和該金屬特征上方；

回蝕刻該低k介電質(zhì)層以降低該低k介電質(zhì)層的一上表面至低于該金屬特征的一上表面的一位置；

沉積一介電質(zhì)層于該低k介電質(zhì)層和該金屬特征上方；以及

對(duì)該介電質(zhì)層執(zhí)行一第一化學(xué)機(jī)械研磨制程直到該金屬特征暴露。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，還包含:

沉積一擴(kuò)散阻擋層于該層間介電質(zhì)層和該金屬特征上方；以及

移除該擴(kuò)散阻擋層的水平部分以暴露該層間介電質(zhì)層的一上表面和該金屬特征的一上表面。