[發明專利]一種顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202210143677.5
• 申請日: 2022-02-17
• 公開（公告）號: CN114512526A
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 陳龍龍;李喜峰;張建華
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 李博

1.一種顯示面板，包括自下而上依次設置的基板、第一結構層、緩沖層、阻隔層和第二結構層；

所述第一結構層包括自下而上依次層疊設置的第一上電極板層、第一膜層調節層和第一下電極板層；

所述緩沖層和阻隔層之間還設置有薄膜晶體管陣列結構、發光結構層和波長探測結構；

所述薄膜晶體管陣列結構包括像素結構和自適應驅動補償結構；

所述像素結構和自適應驅動補償結構間隔設置于所述緩沖層的上表面；

所述發光結構層設置于所述像素結構的上表面；

所述發光結構層與所述自適應驅動補償結構通過波長探測結構相連接；

所述阻隔層覆蓋于基板、第一結構層、緩沖層、薄膜晶體管陣列結構、發光結構層和波長探測結構組成的復合結構體的上表面；

所述第二結構層包括自下而上依次層疊設置的第二上電極板層、第二膜層調節層和第二下電極板層；

所述自適應驅動補償結構與第一結構層和第二結構層通過導線連接。

2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一上電極板層、第一下電極板層、第二上電極板層和第二下電極板層的材質獨立地包括氧化銦錫、Mo、Al、Ag、Ti和Cu中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一上電極板層的厚度為

4.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一膜層調節層和第二膜層調節層的材質獨立地為透明陶瓷或鈮酸鋰。

5.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述緩沖層和阻隔層的材質獨立地包括SiO_x和SiN_x中的至少一種。

6.權利要求1～5任意一項所述顯示面板的制備方法，包括以下步驟：

采用磁控濺射、蒸鍍、印刷或旋涂的方法在基板上制備第一上電極板層；

采用磁控濺射的方法在所述第一上電極板層上制備第一膜層調節層；

采用磁控濺射、蒸鍍、印刷或旋涂的方法在所述第一膜層調節層上制備第一下電極板層；

采用等離子增強化學氣相沉積的方法在所述第一下電極板層上制備緩沖層；

采用圖案化工藝在所述緩沖層上制備薄膜晶體管陣列結構；

在像素結構上制備發光結構層；

制備波長探測結構；

采用等離子增強化學氣相沉積的方法，在基板、第一結構層、緩沖層、薄膜晶體管陣列結構、發光結構層和波長探測結構組成的復合結構體的上表面制備阻隔層；

采用磁控濺射、蒸鍍、印刷或旋涂的方法在所述阻隔層上制備第二上電極板層；

采用磁控濺射的方法在所述第二上電極板層上制備第二膜層調節層；

采用磁控濺射、蒸鍍、印刷或旋涂的方法在所述第二膜層調節層上制備第二下電極板層。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射的方法制備第一上電極板層、第一下電極板層、第二上電極板層或第二下電極板層時，所述磁控濺射的工藝參數包括：濺射功率為0.2～1.5kW，濺射氣壓為0.2～0.5Pa，濺射溫度為室溫～300℃。

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，采用蒸鍍的方法制備第一上電極板層、第一下電極板層、第二上電極板層或第二下電極板層時，所述蒸鍍的速率為

9.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，制備第一膜層調節層或第二膜層調節層時，所述磁控濺射的工藝參數獨立地包括：濺射功率為0.2～1.0kW，濺射氣壓為0.2～0.5Pa，濺射溫度為室溫～350℃。

10.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，制備緩沖層或阻隔層時，所述等離子增強化學氣相沉積的工藝參數獨立地包括：生長功率為0.2～1.0kW，工作氣壓為0.5～5Pa，沉膜溫度為80～400℃。