[發明專利]一種轉移納米森林結構的方法

在審

• 申請號: 202210143474.6
• 申請日: 2022-02-16
• 公開（公告）號: CN116639647A
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 李茂;毛海央;周娜
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 張曉玲

本發明涉及一種轉移納米森林結構的方法，該方法利用可釋放型膠帶的可控粘附性與磁場吸附的原理，成功地將納米森林結構從原始基底轉移至目標基底，由于目標基底種類多樣化，因此擴大了納米森林結構的應用場景，同時提高了納米森林結構在應用時的可靠性。

技術領域

本發明涉及功能化納米材料技術領域，具體涉及一種轉移納米森林結構的方法。

背景技術

現有的納米森林結構普遍由較為復雜的生長工藝或刻蝕工藝形成，因此對基底要求較高，目前只能夠在有限的幾種基底上制備，無法應對實際應用中在某些基底(如金屬材料基底)上制備納米森林結構的需求，大大限制了納米森林結構的應用場景。另外，在制備納米森林結構的過程中，會對基底帶來一定的損傷，繼而為納米森林結構的后續應用帶來可靠性降低的風險。

因此，需要開發一種能夠將納米森林結構從原始基底轉移到新基底上的方法，以實現在新基底上形成納米森林結構的目的，同時提高納米森林結構在應用時的可靠性。

發明內容

本發明的目的是克服現有技術的缺點，提供一種轉移納米森林結構的方法，該方法利用可釋放型膠帶的可控粘附性與磁場吸附的原理，成功地將納米森林結構從原始基底轉移至目標基底，由于目標基底種類多樣化，因此本方法擴大了納米森林結構的應用場景，同時提高了納米森林結構在應用時的可靠性。

為了實現以上目的，本發明提供如下技術方案。

一種轉移納米森林結構的方法，包括以下步驟：

提供原始基底，所述原始基底的上表面設置有納米森林結構，所述納米森林結構由光刻膠形成；

在所述納米森林結構的上表面形成磁性金屬層；

將可釋放型膠帶粘附在所述磁性金屬層的上表面，并使所述納米森林結構與所述原始基底分離，從而得到粘附在所述可釋放型膠帶上的納米森林結構；

處理所述可釋放型膠帶，從而釋放上表面具有所述磁性金屬層的所述納米森林結構；

提供目標基底；以及

在所述目標基底的第一表面施加磁場，從而將上表面具有所述磁性金屬層的所述納米森林結構吸附至所述目標基底的第二表面，以完成轉移。

相比現有技術，本發明的有益效果：

1、本發明提供了一種轉移納米森林結構的方法，該方法利用可釋放型膠帶的可控粘附性與磁場吸附的原理，成功地將納米森林結構從原始基底轉移至目標基底，由于目標基底種類多樣化，因此擴大了納米森林結構的應用場景，同時提高了納米森林結構在應用時的可靠性。

2、本發明的吸附過程在液體如水中進行，通過調整目標基底與水平面的夾角α，并且在磁力、重力以及水的阻力與扭矩的作用下，納米森林結構能夠按特定角度傾斜排布在目標基底上，極大地拓展了納米森林結構的應用領域。而現有技術采用刻蝕方法或化學合成生長方法制備的納米森林結構通常垂直于基底，無法調整納米森林結構與基底之間的傾斜角。

附圖說明

通過閱讀下文優選實施方式的詳細描述，各種其他的優點和益處對于本領域普通技術人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優選實施方式的目的，而并不認為是對本發明的限制。而且在整個附圖中，用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中：

圖1-10為本發明實施例提供的轉移方法中每步得到的結構示意圖。

附圖標記說明

100為原始基底，200為納米森林結構，201為納米柱，300為磁性金屬層，400為熱釋放膠帶，500為水，600為目標基底，700為磁性基底，800為柔性膠帶。

具體實施方式