[發明專利]非晶態金屬薄帶、非晶態金屬薄帶的制造方法及磁芯

在審

• 申請號: 202210142102.1
• 申請日: 2022-02-16
• 公開（公告）號: CN114974783A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 中村敦
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01F1/153
• 分類號: H01F1/153;H01F3/04;H01F41/02
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 趙曦

本發明提供非晶態金屬薄帶、非晶態金屬薄帶的制造方法及磁芯，當在磁通密度較高的條件下進行測定時，鐵損和勵磁功率也較低。一種非晶態金屬薄帶，其特征在于，具有多個由排列成列狀的多個激光照射痕構成的激光照射痕列，使相互相鄰的所述激光照射痕列彼此的間隔為d1，使所述激光照射痕列中的所述激光照射痕彼此的間隔為d2，使所述激光照射痕的直徑為d3，在使所述激光照射痕的數量密度D為(1/d1)×(1/d2)時，所述激光照射痕的數量密度D為0.05個/mm²以上且0.50個/mm²以下，在使所述激光照射痕的面積占有率A為D×(d3/2)²×π×100時，所述激光照射痕的面積占有率A為0.0035％以上且0.040％以下。

技術領域

本發明涉及一種非晶態金屬薄帶、非晶態金屬薄帶的制造方法及磁芯。

背景技術

在專利文獻1中公開了一種具有多個由多個激光照射痕構成的激光照射痕列的Fe基非晶合金薄帶。在該Fe基非晶合金薄帶中，激光照射痕列彼此的間隔(線間隔d1)為10至60mm，激光照射痕彼此的間隔(點間隔d2)為0.10至0.50mm。而且，激光照射痕的數量密度D由D＝(1/d1)×(1/d2)表示，且為0.05至0.50個/mm²。

在這種Fe基非晶合金薄帶中，勵磁磁通密度1.45T的鐵損低，并且抑制勵磁功率的上升。由此，能夠實現具有優異性能的鐵芯和變壓器。

專利文獻1：國際公開2019/189813號說明書

在專利文獻1所記載的Fe基非晶合金薄帶中，通過控制激光照射痕的線間隔d1、點間隔d2和數量密度D，優化磁疇的細化，實現鐵損、勵磁功率的降低。然而，關于Fe基非晶合金薄帶的磁疇的細化存在進一步改善的余地。

發明內容

本發明的應用例所涉及的非晶態金屬薄帶的特征在于，

具有多個由排列成列狀的多個激光照射痕構成的激光照射痕列，

使相互相鄰的所述激光照射痕列彼此的間隔為d1，

使所述激光照射痕列中的所述激光照射痕彼此的間隔為d2，

使所述激光照射痕的直徑為d3，

在使所述激光照射痕的數量密度D為(1/d1)×(1/d2)時，

所述激光照射痕的數量密度D為0.05個/mm²以上且0.50個/mm²以下，

在使所述激光照射痕的面積占有率A為D×(d3/2)²×π×100時，

所述激光照射痕的面積占有率A為0.0035％以上且0.040％以下。

本發明的應用例所涉及的非晶態金屬薄帶的制造方法的特征在于，包括：

準備具有由非晶態金屬構成的主面的原料薄帶的工序；以及

對所述原料薄帶的所述主面實施激光加工，得到具有多個由排列成列狀的多個激光照射痕構成的激光照射痕列的非晶態金屬薄帶的工序，

使相互相鄰的所述激光照射痕列彼此的間隔為d1，

使所述激光照射痕列中的所述激光照射痕彼此的間隔為d2，

使所述激光照射痕的直徑為d3，

在使所述激光照射痕的數量密度D為(1/d1)×(1/d2)時，

所述激光照射痕的數量密度D為0.05個/mm²以上且0.50個/mm²以下，