[發(fā)明專利]非晶態(tài)金屬薄帶、非晶態(tài)金屬薄帶的制造方法及磁芯

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210142102.1
• 申請日: 2022-02-16
• 公開（公告）號(hào): CN114974783A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中村敦
• 申請（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01F1/153
• 分類號(hào): H01F1/153;H01F3/04;H01F41/02
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 趙曦

1.一種非晶態(tài)金屬薄帶，其特征在于，

具有：多個(gè)激光照射痕列，所述激光照射痕列由排列成列狀的多個(gè)激光照射痕構(gòu)成，

使相互相鄰的所述激光照射痕列彼此的間隔為d1，

使所述激光照射痕列中的所述激光照射痕彼此的間隔為d2，

使所述激光照射痕的直徑為d3，

在使所述激光照射痕的數(shù)量密度D為(1/d1)×(1/d2)時(shí)，

所述激光照射痕的數(shù)量密度D為0.05個(gè)/mm²以上且0.50個(gè)/mm²以下，

在使所述激光照射痕的面積占有率A為D×(d3/2)²×π×100時(shí)，

所述激光照射痕的面積占有率A為0.0035％以上且0.040％以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶態(tài)金屬薄帶，其特征在于，

所述激光照射痕列彼此的間隔d1為10mm以上且60mm以下，

所述激光照射痕彼此的間隔d2為0.10mm以上且0.50mm以下，

所述激光照射痕的直徑d3為0.010mm以上且0.30mm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶態(tài)金屬薄帶，其特征在于，

厚度為10μm以上且50μm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶態(tài)金屬薄帶，其特征在于，

頻率60Hz和磁通密度1.45T的條件下的鐵損為0.150W/kg以下，

頻率60Hz和磁通密度1.45T的條件下的勵(lì)磁功率為0.180VA/kg以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的非晶態(tài)金屬薄帶，其特征在于，

將100個(gè)所述激光照射痕的當(dāng)量圓直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差除以平均值得到的變動(dòng)系數(shù)為3％以上。

6.一種非晶態(tài)金屬薄帶的制造方法，其特征在于，包括：

原料準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備具有由非晶態(tài)金屬構(gòu)成的主面的原料薄帶；以及

激光加工工序，對所述原料薄帶的所述主面實(shí)施激光加工，得到非晶態(tài)金屬薄帶，所述非晶態(tài)金屬薄帶具有多個(gè)激光照射痕列，所述激光照射痕列由排列成列狀的多個(gè)激光照射痕構(gòu)成，

使相互相鄰的所述激光照射痕列彼此的間隔為d1，

使所述激光照射痕列中的所述激光照射痕彼此的間隔為d2，

使所述激光照射痕的直徑為d3，

在使所述激光照射痕的數(shù)量密度D為(1/d1)×(1/d2)時(shí)，

所述激光照射痕的數(shù)量密度D為0.05個(gè)/mm²以上且0.50個(gè)/mm²以下，

在使所述激光照射痕的面積占有率A為D×(d3/2)²×π×100時(shí)，

所述激光照射痕的面積占有率A為0.0035％以上且0.040％以下。

7.一種磁芯，其特征在于，

具有權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的非晶態(tài)金屬薄帶。