[發(fā)明專利]電子設(shè)備及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210141003.1
• 申請日: 2022-02-16
• 公開（公告）號: CN115207024A
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓智宣;成鏞憲;趙炳直
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L27/22;H01L43/08;H01L45/00
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;李少丹

1.一種包括半導(dǎo)體存儲器的電子設(shè)備，所述半導(dǎo)體存儲器包括：

第一線；

第二線，所述第二線被設(shè)置在所述第一線之上而與所述第一線間隔開；

可變電阻層，所述可變電阻層被設(shè)置在所述第一線與所述第二線之間；

第一電極層，所述第一電極層被設(shè)置在所述第一線與所述可變電阻層之間；以及

第一氧化物層，所述第一氧化物層被設(shè)置在所述可變電阻層與所述第一電極層之間，

其中，所述第一電極層包括摻雜有第一元素的第一碳材料，以及

其中，所述第一氧化物層包括所述第一元素的第一氧化物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，所述第一氧化物層的厚度小于所述第一電極層的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，所述第一氧化物層的電阻大于所述第一電極層的電阻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，摻雜有所述第一元素的所述第一碳材料是非晶的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，所述第一電極層和所述第一氧化物層彼此直接接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，所述半導(dǎo)體存儲器還包括：

第二電極層，所述第二電極層被設(shè)置在所述第二線與所述可變電阻層之間；以及

第二氧化物層，所述第二氧化物層被設(shè)置在所述第二電極層與所述可變電阻層之間，其中，所述第二氧化物層包括第二元素的第二氧化物。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子設(shè)備，其中，所述第二電極層包括摻雜有所述第二元素的第二碳材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子設(shè)備，其中，所述半導(dǎo)體存儲器還包括：

碳層，所述碳層介于所述第二氧化物層與所述可變電阻層之間，并且包括摻雜有所述第二元素的第二碳材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子設(shè)備，其中，所述第二氧化物層的厚度小于所述第二電極層的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備，其中，所述碳層的厚度小于所述第二氧化物層的厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子設(shè)備，其中，所述第二氧化物層的電阻大于所述第二電極層的電阻。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備，其中，摻雜有所述第二元素的所述第二碳材料是非晶的。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，所述半導(dǎo)體存儲器還包括：

第一界面電極層，所述第一界面電極層介于所述第一氧化物層與所述可變電阻層之間。

14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子設(shè)備，其中，所述半導(dǎo)體存儲器還包括：

第二界面電極層，所述第二界面電極層介于所述第二氧化物層與所述可變電阻層之間。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，所述半導(dǎo)體存儲器還包括：

第三電極層，所述第三電極層介于所述第二線與所述可變電阻層之間；以及

電阻層，所述電阻層介于所述第二線與所述第三電極層之間。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，所述半導(dǎo)體存儲器還包括：

選擇元件層，所述選擇元件層介于所述第一電極層與所述第一線之間，或者介于所述可變電阻層與所述第二線之間。