[發明專利]電子設備及其制造方法

在審

• 申請號: 202210141003.1
• 申請日: 2022-02-16
• 公開（公告）號: CN115207024A
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 韓智宣;成鏞憲;趙炳直
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L27/22;H01L43/08;H01L45/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;李少丹

本發明提供了一種包括半導體存儲器的電子設備以及用于制造該電子設備的方法。一種電子設備包括半導體存儲器，該半導體存儲器包括：第一線；第二線，該第二線被設置在第一線之上以與第一線間隔開；可變電阻層，該可變電阻層被設置在第一線與第二線之間；第一電極層，該第一電極層被設置在第一線與可變電阻層之間；以及第一氧化物層，該第一氧化物層被設置在可變電阻層與第一電極層之間，其中，第一電極層包括摻雜有第一元素的第一碳材料，以及其中，第一氧化物層包括第一元素的第一氧化物。

相關申請的交叉引用

本申請要求2021年4月09日提交的申請號為10-2021-0046531的韓國專利申請的優先權，其通過引用整體合并于此。

技術領域

本專利文件涉及存儲電路(memory circuit)或存儲器件以及它們在電子設備或電子系統中的應用。

背景技術

近來，隨著電器趨于小型化、低功耗、高性能、多功能等，在本領域中已亟需在諸如計算機、便攜式通信設備等的各種電器中能夠儲存信息的半導體器件，并且已經對該半導體器件進行了研究。這種半導體器件可以利用根據所施加的電壓或電流而在不同電阻狀態之間切換的特性來儲存數據，例如，RRAM(電阻式隨機存取存儲器)、PRAM(相變隨機存取存儲器)、FRAM(鐵電隨機存取存儲器)、MRAM(磁性隨機存取存儲器)、電熔絲等。

發明內容

本專利文件中公開的技術包括能夠改善半導體存儲器的操作特性并基本上防止工藝缺陷的電子設備及其制造方法的各種實施例。

在一個實施例中，一種電子設備包括半導體存儲器，該半導體存儲器包括：第一線；第二線，所述第二線被設置在所述第一線之上以與所述第一線間隔開；可變電阻層，所述可變電阻層被設置在所述第一線與所述第二線之間；第一電極層，所述第一電極層被設置在所述第一線與所述可變電阻層之間；以及第一氧化物層，所述第一氧化物層被設置在所述可變電阻層與所述第一電極層之間，其中，所述第一電極層包括摻雜有第一元素的第一碳材料，以及其中，所述第一氧化物層包括所述第一元素的第一氧化物。

在另一個實施例中，一種用于制造包括半導體存儲器的電子設備的方法包括：在襯底之上形成第一電極層和第一氧化物層；以及在所述第一氧化物層之上形成可變電阻層，其中，形成所述第一電極層和所述第一氧化物層的步驟包括：形成包括摻雜有第一元素的第一碳材料的初始第一電極層；以及通過用含氧的等離子體或氣體處理所述初始第一電極層的一部分來形成包括所述第一元素的第一氧化物的所述第一氧化物層。

附圖說明

圖1A和圖1B是示出根據本公開的一個實施例的半導體存儲器的視圖。

圖2是示出根據本公開的一個實施例的形成半導體存儲器的中間電極層和第一氧化物層的工藝的視圖。

圖3是示出根據本公開的一個實施例的形成半導體存儲器的第二氧化物層和上電極層的工藝的視圖。

圖4是示出根據本公開的另一實施例的半導體存儲器的視圖。

圖5是示出根據本公開的另一實施例的半導體存儲器的視圖。

圖6是示出根據本公開的另一實施例的半導體存儲器的視圖。

圖7是基于所公開的技術實現存儲電路系統(memory circuitry)的微處理器的配置圖的示例。

圖8是基于所公開的技術實現存儲電路系統的處理器的配置圖的示例。

圖9是基于所公開的技術實現存儲電路系統的系統的配置圖的示例。

圖10是基于所公開的技術實現存儲電路系統的存儲系統的配置圖的示例。

具體實施方式

在下文中，將參考附圖詳細描述本公開的各種實施例。