[發(fā)明專利]發(fā)光二極管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210138792.3
• 申請(qǐng)日: 2022-02-15
• 公開（公告）號(hào): CN114551678A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏宏偉;馬全揚(yáng);王繪凝;林雅雯;張平;林素慧;楊人龍;張中英
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38;H01L33/40;H01L33/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請(qǐng)公開的發(fā)光二極管包括：半導(dǎo)體疊層，包括依次堆疊的第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層以及位于兩者之間的有源層；第一電極和第二電極，分別形成于所述第一半導(dǎo)體層或所述第二半導(dǎo)體層上，所述第一電極和第二電極具有與所述第一半導(dǎo)體層或所述第二半導(dǎo)體層接觸的第一表面、與所述第一表面相對(duì)的第二表面以及連接所述第一表面和所述第二表面之間的側(cè)面；絕緣層，包括形成于所述第一電極或第二電極的所述第二表面和所述側(cè)面上，所述絕緣層具有多個(gè)裸露出所述第一電極或第二電極部分所述第二表面的第一開口；保護(hù)電極，通過所述第一開口與所述第一電極或第二電極的所述第二表面接觸，并覆蓋形成于所述第一電極或第二電極所述側(cè)面的所述絕緣層上。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱：LED)是一種利用載流子復(fù)合時(shí)釋放能量形成發(fā)光的半導(dǎo)體器件，LED發(fā)光二極管具有耗電低、色度純、壽命長(zhǎng)、體積小、響應(yīng)時(shí)間快、節(jié)能環(huán)保等諸多優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于照明、可見光通信及發(fā)光顯示等場(chǎng)景。

在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中，一般以二氧化硅（SiO₂）作為表面絕緣層，但絕緣層不具有很高的致密性，且在金屬上的黏附性較差。在應(yīng)用過程中會(huì)有水汽、電解質(zhì)侵入，長(zhǎng)期會(huì)導(dǎo)致絕緣層在電極上發(fā)生脫落，造成對(duì)金屬電極覆蓋的惡化，進(jìn)一步金屬原子失去絕緣層的阻擋保護(hù)效果，在電場(chǎng)作用下極易發(fā)生遷移，其遷移方向?yàn)镻電極遷移至N電極，即與電場(chǎng)方向一致，如圖1所示為常見的金屬遷移現(xiàn)象，金屬電極中較為活潑的Cr、Al甚至比重最多的Au都會(huì)發(fā)生遷移。遷移持續(xù)發(fā)生極易導(dǎo)致量子阱邊緣發(fā)生漏電甚至造成發(fā)光二極管短路，進(jìn)一步Cr、Al遷移的加劇導(dǎo)致電極脫落。因此，如何防止絕緣層從電極上脫落極為重要。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本申請(qǐng)公開的一實(shí)施例的發(fā)光二極管包括：半導(dǎo)體疊層，包括依次堆疊的第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層以及位于兩者之間的有源層；第一電極和第二電極，分別形成于所述第一半導(dǎo)體層或所述第二半導(dǎo)體層上，所述第一電極和第二電極具有與所述第一半導(dǎo)體層或所述第二半導(dǎo)體層接觸的第一表面、與所述第一表面相對(duì)的第二表面以及連接所述第一表面和所述第二表面之間的側(cè)面；絕緣層，包括形成于所述第一電極或第二電極的所述第二表面和所述側(cè)面上，所述絕緣層具有多個(gè)裸露出所述第一電極或第二電極部分所述第二表面的第一開口；保護(hù)電極，通過所述第一開口與所述第一電極或第二電極的所述第二表面接觸，并覆蓋形成于所述第一電極或第二電極所述側(cè)面的所述絕緣層上。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本申請(qǐng)的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1為現(xiàn)有產(chǎn)品SEM圖；

圖2為本發(fā)明中發(fā)光二極管一實(shí)施例的剖面示意圖；

圖3為圖2局部A放大示意圖；

圖4為本發(fā)明中發(fā)光二極管另一實(shí)施例的剖面示意圖；

圖5為本發(fā)明中發(fā)光二極管另一實(shí)施例的剖面示意圖。

附圖標(biāo)記：

110 襯底；120 半導(dǎo)體疊層；121第一半導(dǎo)體層；122 有源層；123 第二半導(dǎo)體層；130 電流擴(kuò)展層；141 第一電極；142 第二電極；141a、142a 第一金屬層；141b、142b 第二金屬層；141c、142c 第三金屬層；141d、142d 第四金屬層；150 絕緣層；160 保護(hù)電極；161第一層；162 第二層；160a 第一部分；160b 第二部分；OP1 第一開口；S1 第一表面；S2 第二表面；S3側(cè)面。

具體實(shí)施方式