[發明專利]發光二極管

在審

• 申請號: 202210138792.3
• 申請日: 2022-02-15
• 公開（公告）號: CN114551678A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 夏宏偉;馬全揚;王繪凝;林雅雯;張平;林素慧;楊人龍;張中英
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/40;H01L33/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管，包括：

半導體疊層，包括依次堆疊的第一半導體層、第二半導體層以及位于兩者之間的有源層；

第一電極和第二電極，分別形成于所述第一半導體層或所述第二半導體層上，所述第一電極和第二電極具有與所述第一半導體層或所述第二半導體層接觸的第一表面、與所述第一表面相對的第二表面以及連接所述第一表面和所述第二表面之間的側面；

絕緣層，包括形成于所述第一電極或第二電極的所述第二表面和所述側面上，所述絕緣層具有多個裸露出所述第一電極或第二電極部分所述第二表面的第一開口；

保護電極，通過所述第一開口與所述第一電極或第二電極的所述第二表面接觸，并覆蓋形成于所述第一電極或第二電極所述側面的所述絕緣層上。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述保護電極包括第一部分和第二部分，所述第一部分通過所述第一開口與所述第一電極或第二電極接觸并延伸覆蓋于所述絕緣層上，所述第二部分覆蓋形成于所述第一電極或第二電極的所述側面的所述絕緣層上。

3.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。

4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述保護電極包括第一層和第二層，所述第一層至少填充于所述第一開口與所述第一電極或第二電極接觸，所述第二層形成于所述第一層上。

5.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，所述第一層包括覆蓋形成于所述第一電極或第二電極的所述側面的所述絕緣層上。

6.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，所述第一層包括覆蓋形成于所述第一電極或第二電極的所述側面的所述絕緣層上。

7.根據權利要求4任一所述的發光二極管，其特征在于，第一層的厚度為3nm~50nm，所述第二層的厚度為200nm~1500nm。

8.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，所述第一層為鉻、鎳、鈦中的一種或幾種，所述第二層為金、鉑中的一種或幾種。

9.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第一電極或第二電極的所述第一表面和所述側面的夾角介于40°~80°。

10.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述絕緣層的厚度介于100nm~500nm。

11.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第一電極或第二電極包括第五金屬層與所述絕緣層接觸，所述保護電極包括第一層與所述絕緣層接觸，所述第五金屬層與所述第一層為同一種材料構成。

12.根據權利要求11所述的發光二極管，其特征在于，所述第五金屬層與所述第一層的材料為鈦或者鎳。