[發(fā)明專利]電子器件的軟錯誤評估方法、裝置和計算機設備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210137442.5
• 申請日: 2022-02-15
• 公開（公告）號: CN114662373A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發(fā)明（設計）人: 張戰(zhàn)剛;黃云;雷志鋒;彭超;何玉娟;肖慶中;路國光;來萍
• 申請（專利權）人: 中國電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗研究所（（工業(yè)和信息化部電子第五研究所）（中國賽寶實驗室））
• 主分類號: G06F30/25
• 分類號: G06F30/25;G06F17/18;G06F11/26;G06F119/02
• 代理公司: 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧丹

本申請涉及一種電子器件的軟錯誤評估方法、裝置、計算機設備、存儲介質和計算機程序產(chǎn)品。所述方法包括：獲取將面源通過降能片組合照射電子器件的情況下，所述電子器件的單粒子翻轉截面值組合；通過對體源照射電子器件的情形進行仿真，獲得表面粒子通量組合，所述表面粒子通量組合與將面源通過降能片組合照射電子器件的情況下，獲得的所述單粒子翻轉截面值組合對應；基于所述單粒子翻轉截面值組合和所述表面粒子通量組合，確定所述電子器件的軟錯誤率。采用本方法能夠提高電子器件的軟錯誤率的評估精度。

技術領域

本申請涉及電子器件可靠性技術領域，特別是涉及一種電子器件的軟錯誤評估方法、裝置、計算機設備、存儲介質和計算機程序產(chǎn)品。

背景技術

隨著電子器件可靠性技術的發(fā)展，作為核反應原料的235U(鈾)等以及它們的子體同位素如232Th(釷)是比較常見的放射性元素，由于地球上天然存在著大量的235U，使得這些元素極易出現(xiàn)在半導體器件的各種材料中，如模塑料、焊球、填充料等，這些元素通常會發(fā)生α(阿爾法)衰變，進而引起半導體器件發(fā)生數(shù)據(jù)丟失、功能中斷等惡劣影響。

為了解決上述問題，現(xiàn)有技術中一般使用人工放射源開展α粒子軟錯誤率加速試驗，然而“體源”型的人工放射源制作難度較大，通常使用“面源”型的人工放射源開展試驗，導致與器件真實情況有一定的差別，進而導致試驗存在較大誤差。

發(fā)明內容

基于此，有必要針對上述技術問題，提供一種能夠提高軟錯誤率評估精度的電子器件的軟錯誤評估方法、裝置、計算機設備、計算機可讀存儲介質和計算機程序產(chǎn)品。

第一方面，本申請?zhí)峁┝艘环N電子器件的軟錯誤評估方法，所述方法包括：

獲取將面源通過降能片組合照射電子器件的情況下，所述電子器件的單粒子翻轉截面值組合；

通過對體源照射電子器件的情形進行仿真，獲得表面粒子通量組合，所述表面粒子通量組合與將面源通過降能片組合照射電子器件的情況下，獲得的所述單粒子翻轉截面值組合對應；

基于所述單粒子翻轉截面值組合和所述表面粒子通量組合，確定所述電子器件的軟錯誤率。

在其中一個實施例中，所述獲取將面源通過降能片組合照射電子器件的情況下，所述電子器件的單粒子翻轉截面值組合，包括：獲取將面源通過至少三種厚度的降能片照射電子器件的情況下，所述電子器件的與各所述厚度對應的單粒子翻轉截面值，所述單粒子翻轉截面值組合包括各所述單粒子翻轉截面值。

在其中一個實施例中，所述通過對體源照射電子器件的情形進行仿真，獲得表面粒子通量組合，包括：對體源照射電子器件的情形進行仿真，獲得體源內部至少三段厚度的體源材料發(fā)射的對應的各表面粒子通量，所述表面粒子通量組合包括各所述表面粒子通量。

在其中一個實施例中，各所述厚度根據(jù)粒子的最大穿透厚度等距設置。

在其中一個實施例中，獲取將面源通過降能片組合照射電子器件的情況下，所述電子器件的單粒子翻轉截面值，包括：獲取將面源通過降能片照射電子器件的情況下，所述電子器件的阿爾法粒子總注量以及粒子翻轉數(shù)；基于所述阿爾法粒子總注量、所述粒子翻轉數(shù)和所述電子器件的器件總容量，確定所述單粒子翻轉截面值。

在其中一個實施例中，所述單粒子翻轉截面值的組合包括各所述單粒子翻轉截面值，所述表面粒子通量的組合包括各所述表面粒子通量；所述基于所述單粒子翻轉截面值組合和所述表面粒子通量組合，確定所述電子器件的軟錯誤率，包括：將所述單粒子翻轉截面值組合和所述表面粒子通量組合中，各所述單粒子翻轉截面值與各所述表面粒子通量的乘積之和，確定為所述電子器件的軟錯誤率，所述單粒子翻轉截面值與所述表面粒子通量一一對應。

第二方面，本申請還提供了一種電子器件的軟錯誤評估裝置，所述裝置包括：

第一數(shù)據(jù)獲取模塊，用于獲取將面源通過降能片組合照射電子器件的情況下，所述電子器件的單粒子翻轉截面值組合；