[發明專利]電子器件的軟錯誤評估方法、裝置和計算機設備

在審

• 申請號: 202210137442.5
• 申請日: 2022-02-15
• 公開（公告）號: CN114662373A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 張戰剛;黃云;雷志鋒;彭超;何玉娟;肖慶中;路國光;來萍
• 申請（專利權）人: 中國電子產品可靠性與環境試驗研究所（（工業和信息化部電子第五研究所）（中國賽寶實驗室））
• 主分類號: G06F30/25
• 分類號: G06F30/25;G06F17/18;G06F11/26;G06F119/02
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧丹

1.一種電子器件的軟錯誤評估方法，其特征在于，所述方法包括：

獲取將面源通過降能片組合照射電子器件的情況下，所述電子器件的單粒子翻轉截面值組合；

通過對體源照射電子器件的情形進行仿真，獲得表面粒子通量組合，所述表面粒子通量組合與將面源通過降能片組合照射電子器件的情況下，獲得的所述單粒子翻轉截面值組合對應；

基于所述單粒子翻轉截面值組合和所述表面粒子通量組合，確定所述電子器件的軟錯誤率。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述獲取將面源通過降能片組合照射電子器件的情況下，所述電子器件的單粒子翻轉截面值組合，包括：獲取將面源通過至少三種厚度的降能片照射電子器件的情況下，所述電子器件的與各所述厚度對應的單粒子翻轉截面值，所述單粒子翻轉截面值組合包括各所述單粒子翻轉截面值。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述通過對體源照射電子器件的情形進行仿真，獲得表面粒子通量組合，包括：對體源照射電子器件的情形進行仿真，獲得體源內部至少三段厚度的體源材料發射的對應的各表面粒子通量，所述表面粒子通量組合包括各所述表面粒子通量。

4.根據權利要求2或3所述的方法，其特征在于，各所述厚度根據粒子的最大穿透厚度等距設置。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，獲取將面源通過降能片組合照射電子器件的情況下，所述電子器件的單粒子翻轉截面值，包括：

獲取將面源通過降能片照射電子器件的情況下，所述電子器件表面的阿爾法粒子總注量以及單粒子翻轉數；

基于所述阿爾法粒子總注量、所述單粒子翻轉數和所述電子器件的器件總容量，確定所述單粒子翻轉截面值。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述單粒子翻轉截面值的組合包括各所述單粒子翻轉截面值，所述表面粒子通量的組合包括各所述表面粒子通量；

所述基于所述單粒子翻轉截面值組合和所述表面粒子通量組合，確定所述電子器件的軟錯誤率，包括：

將所述單粒子翻轉截面值組合和所述表面粒子通量組合中，各所述單粒子翻轉截面值與各所述表面粒子通量的乘積之和，確定為所述電子器件的軟錯誤率，所述單粒子翻轉截面值與所述表面粒子通量一一對應。

7.一種電子器件的軟錯誤評估裝置，其特征在于，所述裝置包括：

第一數據獲取模塊，用于獲取將面源通過降能片組合照射電子器件的情況下，所述電子器件的單粒子翻轉截面值組合；

第二數據獲取模塊，用于通過對體源照射電子器件的情形進行仿真，獲得表面粒子通量組合，所述表面粒子通量與將面源通過降能片組合照射電子器件的情況下，獲得的所述單粒子翻轉截面值一一對應；

軟錯誤率確定模塊，用于基于所述單粒子翻轉截面值組合和所述表面粒子通量組合，確定所述電子器件的軟錯誤率。

8.一種計算機設備，包括存儲器和處理器，所述存儲器存儲有計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序時實現權利要求1至6中任一項所述的方法的步驟。

9.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至6中任一項所述的方法的步驟。

10.一種計算機程序產品，包括計算機程序，其特征在于，該計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至6中任一項所述的方法的步驟。