[發明專利]濺射鍍膜設備

在審

• 申請號: 202210136775.6
• 申請日: 2022-02-15
• 公開（公告）號: CN114525486A
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 高佳
• 申請（專利權）人: 東莞市峰谷納米科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 深圳市優賽諾知識產權代理事務所(普通合伙) 44461
• 代理人: 劉斌強

本發明公開了濺射鍍膜設備，包括送料機構與濺射鍍膜機構，濺射鍍膜機構包括周轉室、第一濺射腔室、第二濺射腔室、第三濺射腔室以及第四濺射腔室，周轉室設于濺射鍍膜機構的中間，而第一濺射腔室、第二濺射腔室、第三濺射腔室以及第四濺射腔室依次圍繞周轉室設置，第一濺射腔室的外部設有低壓濺射裝置，第二濺射腔室的外部設有第一磁控濺射裝置、第二磁控濺射裝置以及第三磁控濺射裝置，第三濺射腔室的外部設有第四磁控濺射裝置、電感耦合等離子光譜發生儀以及第五磁控濺射裝置，第四濺射腔室的外部設有第一RF離子源清洗裝置、第六磁控濺射裝置以及第七磁控濺射裝置。

技術領域

本發明涉及濺射鍍膜技術領域，具體為塑膠濺射鍍膜設備。

背景技術

磁控濺射為工業鍍膜中廣泛使用的工藝，其主要通過磁控濺射鍍膜設備對基材進行鍍膜，磁控濺射鍍膜設備通過靶材對基材進行鍍膜，然而現有的濺射鍍膜設備自動化程度較低，進而導致玻璃鍍膜的效率較低，無法滿足生產需求。

發明內容

為了克服現有技術方案的不足，本發明提供塑膠濺射鍍膜設備。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：塑膠濺射鍍膜設備，包括結構主體，所述結構主體包括送料裝置與濺射鍍膜裝置，所述濺射鍍膜裝置包括周轉室、第一濺射室、第二濺射室、第三濺射室以及第四濺射室，所述周轉室設于濺射鍍膜裝置的中間，所述第一濺射室、第二濺射室、第三濺射室以及第四濺射室依次圍繞周轉室而設置；

所述第一濺射室的外部設有低壓濺射機構；

所述第二濺射室的外部設有第一磁控濺射機構、第二磁控濺射機構以及第三磁控濺射機構；

所述第三濺射室的外部設有第四磁控濺射機構、電感耦合等離子光譜發生儀以及第五磁控濺射機構；

所述第四濺射室的外部設有第一RF離子源清洗機構、第六磁控濺射機構以及第七磁控濺射機構；

工件通過送料裝置依次經過第一濺射室、周轉室、第二濺射室、第三濺射室以及第四濺射室，其中工件至少四次回歸周轉室，并且工件每經過一道工序均進行抽高真空處理。

特別的，所述送料裝置包括入料軌道、第一周轉組件、對接軌道以及送料軌道，所述第一周轉組件設于送料裝置的中間，所述入料軌道、對接軌道以及送料軌道依次圍繞第一周轉組件設置，所述入料軌道設于第一周轉組件的右側，所述對接軌道設于第一周轉組件的后側，所述送料軌道設于第一周轉組件的左側。

特別的，所述第一濺射室的內部安裝有加熱組件、第一工件旋轉機構、第一抽真空機構及第二抽真空機構；

所述第二濺射室的內部安裝有第三抽真空機構；

所述第三濺射室的內部安裝有第二工件旋轉機構、第四抽真空機構、第五抽真空機構以及充氣ICP輔助濺射機構；

所述第四濺射室的內部安裝有第三工件旋轉機構以及第六抽真空機構；

并且，第一濺射室、第二濺射室、第三濺射室及第四濺射室內安裝有充氣濺射機構。

所述周轉室的內部安裝有第七抽真空機構以及第二周轉組件。

特別的，所述低壓濺射機構設于第一濺射室的右側；

所述第一磁控濺射機構及第三磁控濺射機構對稱設置于第二濺射室的前側與后側，且第二磁控濺射機構設于第二濺射室的右側；

所述第四磁控濺射機構及第五磁控濺射機構對稱設置于第三濺射室的右側與左側，且電感耦合等離子光譜發生儀設于第三濺射室的后側；

所述第一RF離子源清洗機構設于第四濺射室的后側，所述第六磁控濺射機構設于第四濺射室的左側，所述第七磁控濺射機構設于第四濺射室的前側。