[發(fā)明專利]濺射鍍膜設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210136775.6
• 申請(qǐng)日: 2022-02-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114525486A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高佳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞市峰谷納米科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 深圳市優(yōu)賽諾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44461
• 代理人: 劉斌強(qiáng)

1.塑膠濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括結(jié)構(gòu)主體，所述結(jié)構(gòu)主體包括送料裝置與濺射鍍膜裝置，所述濺射鍍膜裝置包括周轉(zhuǎn)室、第一濺射室、第二濺射室、第三濺射室以及第四濺射室，所述周轉(zhuǎn)室設(shè)于濺射鍍膜裝置的中間，所述第一濺射室、第二濺射室、第三濺射室以及第四濺射室依次圍繞周轉(zhuǎn)室而設(shè)置；

所述第一濺射室的外部設(shè)有低壓濺射機(jī)構(gòu)；

所述第二濺射室的外部設(shè)有第一磁控濺射機(jī)構(gòu)、第二磁控濺射機(jī)構(gòu)以及第三磁控濺射機(jī)構(gòu)；

所述第三濺射室的外部設(shè)有第四磁控濺射機(jī)構(gòu)、電感耦合等離子光譜發(fā)生儀以及第五磁控濺射機(jī)構(gòu)；

所述第四濺射室的外部設(shè)有第一RF離子源清洗機(jī)構(gòu)、第六磁控濺射機(jī)構(gòu)以及第七磁控濺射機(jī)構(gòu)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑膠濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述送料裝置包括入料軌道、第一周轉(zhuǎn)組件、對(duì)接軌道以及送料軌道，所述第一周轉(zhuǎn)組件設(shè)于送料裝置的中間，所述入料軌道、對(duì)接軌道以及送料軌道依次圍繞第一周轉(zhuǎn)組件設(shè)置，所述入料軌道設(shè)于第一周轉(zhuǎn)組件的右側(cè)，所述對(duì)接軌道設(shè)于第一周轉(zhuǎn)組件的后側(cè)，所述送料軌道設(shè)于第一周轉(zhuǎn)組件的左側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑膠濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第一濺射室的內(nèi)部安裝有加熱組件、第一工件旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、第一抽真空機(jī)構(gòu)及第二抽真空機(jī)構(gòu)；

所述第二濺射室的內(nèi)部安裝有第三抽真空機(jī)構(gòu)；

所述第三濺射室的內(nèi)部安裝有第二工件旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、第四抽真空機(jī)構(gòu)、第五抽真空機(jī)構(gòu)以及充氣ICP輔助濺射機(jī)構(gòu)；

所述第四濺射室的內(nèi)部安裝有第三工件旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)以及第六抽真空機(jī)構(gòu)；

并且，第一濺射室、第二濺射室、第三濺射室及第四濺射室內(nèi)安裝有充氣濺射機(jī)構(gòu)。

所述周轉(zhuǎn)室的內(nèi)部安裝有第七抽真空機(jī)構(gòu)以及第二周轉(zhuǎn)組件。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑膠濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述低壓濺射機(jī)構(gòu)設(shè)于第一濺射室的右側(cè)；

所述第一磁控濺射機(jī)構(gòu)及第三磁控濺射機(jī)構(gòu)對(duì)稱設(shè)置于第二濺射室的前側(cè)與后側(cè)，且第二磁控濺射機(jī)構(gòu)設(shè)于第二濺射室的右側(cè)；

所述第四磁控濺射機(jī)構(gòu)及第五磁控濺射機(jī)構(gòu)對(duì)稱設(shè)置于第三濺射室的右側(cè)與左側(cè)，且電感耦合等離子光譜發(fā)生儀設(shè)于第三濺射室的后側(cè)；

所述第一RF離子源清洗機(jī)構(gòu)設(shè)于第四濺射室的后側(cè)，所述第六磁控濺射機(jī)構(gòu)設(shè)于第四濺射室的左側(cè)，所述第七磁控濺射機(jī)構(gòu)設(shè)于第四濺射室的前側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑膠濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第一濺射室設(shè)于周轉(zhuǎn)室的前側(cè)，所述第二濺射室設(shè)于周轉(zhuǎn)室的右側(cè)，所述第三濺射室設(shè)于周轉(zhuǎn)室的后側(cè)，所述第四濺射室設(shè)于周轉(zhuǎn)室的左側(cè)。