[發明專利]一種基于體細胞胚途徑的獨蒜蘭組織快繁方法有效
| 申請號: | 202210136194.2 | 申請日: | 2022-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN114431145B | 公開(公告)日: | 2023-01-03 |
| 發明(設計)人: | 柴偉國;裘劼人;童建新;周歷萍 | 申請(專利權)人: | 杭州市農業科學研究院 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 杭州中港知識產權代理有限公司 33353 | 代理人: | 張曉紅 |
| 地址: | 310024 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 體細胞 途徑 獨蒜蘭 組織 方法 | ||
1. 一種基于體細胞胚途徑的獨蒜蘭組織快繁方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)外植體的選擇與滅菌
外植體的選擇:選擇健康的3~4年的植株,在獨蒜蘭開花期間進行人工輔助授粉,提高坐果率,經過1~3個月精心培育,在果莢成熟轉黃前采摘,要求果莢外皮青綠色,無病斑無傷疤,果莢內壁組織幼嫩、外皮組織未完全纖維化;
外植體的滅菌:果莢用洗潔精水浸泡10~15min,用毛刷刷凈種殼表面,并用自來水沖洗15~30min;在超凈工作臺上用75%酒精表面滅菌處理20~40 s,0.1%升汞浸泡滅菌5~15min,用無菌水沖洗5~6次,無菌濾紙吸干果莢表面水分;
(2)誘導培養
誘導培養基選用B5,添加0.1~1.0mg/L NAA,在超凈工作臺上用手術刀和鑷子將滅菌好的果莢兩端切除,縱向剖開果莢,將果莢內的未成熟的種子剔除,把果莢內壁組織剝離接種到誘導培養基上,溫度為24℃~26℃,放到培養室暗培養30~60天后,待長出愈傷組織后轉入光照培養;光照培養的光照強度為1800~2500lx,光照時間為10~14小時/天,直至產生綠色叢生芽;
(3)增殖培養
將綠色芽叢切割分離進行增殖培養,平均30~60天增殖一代,每代增殖5~10倍;增殖培養基采用MS,添加0.2~0.8 mg/L 6-BA和 0.1~0.6 mg/L KT,設置溫度為24℃~26℃,光照強度為1800~2500lx,光照時間為10~14小時/天;
(4)生根培養
經過90~150天培養,綠色叢生芽在形態上進一步分化形成原球莖叢,將原球莖叢在無菌操作臺上分割,選取直徑超過0.5cm的原球莖,接種至生根培養基;生根培養基選用1/2MS+ 0.2~0.8mg/L 6-BA +0.1~0.6mg/L KT;培養溫度為24℃~26℃,光照強度為1800~2500lx,光照時間為10~14小時/天,生根時間為30~40天;
(5)馴化培養:將生根良好的健壯瓶苗取出組培室,打開瓶蓋放置3~5天,將苗倒出洗凈培養基,用稀釋到800~1000倍的多菌靈浸泡獨蒜蘭瓶苗根部5~10min,洗凈陰干水分,將其移栽到基質中進行馴化栽培。
2. 如權利要求1所述的一種基于體細胞胚途徑的獨蒜蘭組織快繁方法,其特征在于(1)中:選取1~3個月齡的果莢,果莢用洗潔精水浸泡時間為12~13min,用自來水沖洗20~25min;用75%酒精表面滅菌處理25~35 s,0.1%升汞浸泡滅菌8~12min。
3.如權利要求1所述的一種基于體細胞胚途徑的獨蒜蘭組織快繁方法,其特征在于步驟(2)誘導培養中:NAA的濃度為0.2~0.5mg/L,光照強度為2000~2200lx,光照時間為12~13小時/天。
4.如權利要求1所述的一種基于體細胞胚途徑的獨蒜蘭組織快繁方法,其特征在于步驟(2)誘導培養中:NAA的濃度為0.4~0.5mg/L。
5. 如權利要求1所述的一種基于體細胞胚途徑的獨蒜蘭組織快繁方法,其特征在于步驟(3)增殖培養中:增殖培養基采用MS,添加0.3~0.6 mg/L 6-BA和 0.2~0.3 mg/L KT;設置溫度為25℃,光照強度為2000~2200lx,光照時間為11~12小時/天。
6. 如權利要求1所述的一種基于體細胞胚途徑的獨蒜蘭組織快繁方法,其特征在于步驟(4)生根培養中:生根培養選用1/2MS+ 0.3~0.5mg/L 6-BA +0.2~0.4mg/L KT;培養溫度為25℃,光照強度為2000~2200lx,光照時間為12~13小時/天。
7.如權利要求1所述的一種基于體細胞胚途徑的獨蒜蘭組織快繁方法,其特征在于步驟(4)生根培養中:當原球莖叢的原球莖直徑超過0.5cm時,在無菌操作臺上分割成1~2個原球莖為1叢,并接種至生根培養基進行生根,生根時間30~40天。
8.如權利要求1所述的一種基于體細胞胚途徑的獨蒜蘭組織快繁方法,其特征在于:內壁組織誘導培養前期溫度為24℃~26℃,放到培養室暗培養30~60天后,待長出愈傷組織后轉入光照培養;以后光照誘導培養、增殖培養和生根培養的溫度為24℃~26℃,光照強度為2000~2500lx,光照時間為10~14小時/天。
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