[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202210135977.9 | 申請日: | 2022-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN115117117A | 公開(公告)日: | 2022-09-27 |
| 發明(設計)人: | 金德會 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;馮志云 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
一種顯示裝置,包括:基底、緩沖層、非晶硅層、第一阻光層、驅動晶體管、上部電容器電極、第一開關晶體管、下部電極、發光層以及上部電極。所述驅動晶體管設置在所述緩沖層上,所述第一阻光層定位在所述緩沖層下面,并且所述驅動晶體管包括包含多晶硅的第一有源層和設置在所述第一有源層上的第一柵極電極。上部電容器電極設置在所述第一柵極電極上并且包括金屬氧化物半導體。所述上部電容器電極與所述第一柵極電極一起構成電容器。
技術領域
本發明的實施例一般地涉及一種顯示裝置。更具體地,本發明構思的實施例涉及一種包括功能模塊的顯示裝置。
背景技術
平板顯示裝置由于其重量輕且薄的特性而被用作用于替代陰極射線管顯示裝置的顯示裝置。作為這種平板顯示裝置的代表性示例,存在液晶顯示裝置和有機發光二極管顯示裝置。
為了在顯示裝置的頂表面上顯示視頻(或圖像),顯示裝置可以包括:顯示區域,在所述顯示區域中設置有發光結構;以及非顯示區域,在所述非顯示區域中設置有柵極驅動器、數據驅動器、布線和功能模塊(例如,相機模塊、臉部識別傳感器模塊、瞳孔識別傳感器模塊、接近度傳感器模塊、運動檢測傳感器模塊、紅外傳感器模塊、照度傳感器模塊、指紋識別傳感器模塊等)等。近來,為了減小非顯示區域的尺寸,已經開發出一種顯示裝置,其中,功能模塊設置在被包括在顯示裝置中的下基底的底表面上以與顯示區域的一個部分重疊。換句話說,功能模塊可以與顯示區域重疊,并且可以在顯示裝置的與設置有功能模塊的部分重疊的頂表面上顯示圖像。
在本背景技術部分中公開的以上信息僅用于理解本發明構思的背景,并且,因此,以上信息可能包含不構成現有技術的信息。
發明內容
本發明的實施例提供了一種包括功能模塊的顯示裝置。
本發明構思的附加特征將在下面的描述中闡述,并且根據描述,所述附加特征將部分地是明顯的,或者可以通過實踐本發明構思來獲知所述附加特征。
本發明的實施例提供了一種顯示裝置,包括:基底、緩沖層、非晶硅層、第一阻光層、驅動晶體管、上部電容器電極、第一開關晶體管、下部電極、發光層以及上部電極。所述基底包括順序地堆疊的第一聚酰亞胺層、第一阻擋層、第二聚酰亞胺層和第二阻擋層。所述緩沖層設置在所述基底上。所述非晶硅層設置在所述第一阻擋層與所述第二聚酰亞胺層之間。所述第一阻光層設置在所述第二聚酰亞胺層與所述第二阻擋層之間。所述驅動晶體管設置在所述緩沖層上,所述第一阻光層定位在所述緩沖層下面,并且所述驅動晶體管包括包含多晶硅的第一有源層和設置在所述第一有源層上的第一柵極電極。所述上部電容器電極設置在所述第一柵極電極上,并且包括金屬氧化物半導體。所述上部電容器電極與所述第一柵極電極一起構成電容器。所述第一開關晶體管包括包含金屬氧化物半導體的第二有源層和設置在所述第二有源層上的第二柵極電極。所述下部電極設置在所述驅動晶體管和所述第一開關晶體管上。所述發光層設置在所述下部電極上。所述上部電極設置在所述發光層上。
所述上部電容器電極和所述第二有源層可以定位在同一層,并且可以包括相同的材料。
所述上部電容器電極可以包括與所述第一柵極電極的至少一部分重疊的開口。
所述顯示裝置還可以包括:層間絕緣層,設置在所述上部電容器電極上;第一電源電極,設置在所述層間絕緣層上;以及第二電源電極,與所述第一電源電極間隔開。
所述第一電源電極可以通過形成在所述層間絕緣層的第一部分中并穿過所述上部電容器電極的所述開口的第一接觸孔連接到所述第一柵極電極;并且所述第二電源電極可以通過形成在所述層間絕緣層的第二部分中的第二接觸孔連接到所述上部電容器電極。
所述顯示裝置還可以包括:下部柵極電極,設置在所述第二有源層下面并且與所述第二柵極電極重疊。
所述下部柵極電極和所述第一柵極電極可以定位在同一層,并且可以包括相同的材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





