[發(fā)明專利]顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210135977.9
• 申請日: 2022-02-15
• 公開（公告）號: CN115117117A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金德會
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京鉦霖知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11722
• 代理人: 李英艷;馮志云

1.一種顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括：

基底，包括順序地堆疊的第一聚酰亞胺層、第一阻擋層、第二聚酰亞胺層和第二阻擋層；

緩沖層，設(shè)置在所述基底上；

非晶硅層，設(shè)置在所述第一阻擋層與所述第二聚酰亞胺層之間；

第一阻光層，設(shè)置在所述第二聚酰亞胺層與所述第二阻擋層之間；

驅(qū)動晶體管，設(shè)置在所述緩沖層上，所述第一阻光層定位在所述緩沖層下面，并且所述驅(qū)動晶體管包括包含多晶硅的第一有源層和設(shè)置在所述第一有源層上的第一柵極電極；

上部電容器電極，設(shè)置在所述第一柵極電極上，所述上部電容器電極包括金屬氧化物半導體并且與所述第一柵極電極一起構(gòu)成電容器；

第一開關(guān)晶體管，包括包含金屬氧化物半導體的第二有源層和設(shè)置在所述第二有源層上的第二柵極電極；

下部電極，設(shè)置在所述驅(qū)動晶體管和所述第一開關(guān)晶體管上；

發(fā)光層，設(shè)置在所述下部電極上；以及

上部電極，設(shè)置在所述發(fā)光層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述上部電容器電極和所述第二有源層定位在同一層，并且包括相同的材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述上部電容器電極包括與所述第一柵極電極的至少一部分重疊的開口。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置還包括：

層間絕緣層，設(shè)置在所述上部電容器電極上；

第一電源電極，設(shè)置在所述層間絕緣層上；以及

第二電源電極，與所述第一電源電極間隔開。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，

所述第一電源電極通過形成在所述層間絕緣層的第一部分中并穿過所述上部電容器電極的所述開口的第一接觸孔連接到所述第一柵極電極；并且

所述第二電源電極通過形成在所述層間絕緣層的第二部分中的第二接觸孔連接到所述上部電容器電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置還包括：下部柵極電極，設(shè)置在所述第二有源層下面并且與所述第二柵極電極重疊。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，所述下部柵極電極和所述第一柵極電極定位在同一層，并且包括相同的材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述基底包括：

第一顯示區(qū)域；

第二顯示區(qū)域，與所述第一顯示區(qū)域間隔開；以及

第三顯示區(qū)域，圍繞所述第一顯示區(qū)域和所述第二顯示區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置還包括：下部結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述基底的底表面上，

其中，所述下部結(jié)構(gòu)包括形成在與所述第一顯示區(qū)域重疊的部分處的第一開口以及形成在與所述第二顯示區(qū)域重疊的部分處的第二開口。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，所述第一開口暴露所述基底的與所述第一顯示區(qū)域重疊的所述底表面，并且所述第二開口暴露所述基底的與所述第二顯示區(qū)域重疊的所述底表面。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，所述下部結(jié)構(gòu)包括沖擊吸收層、散熱板和粘合層。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置還包括：

第一功能模塊，設(shè)置在所述下部結(jié)構(gòu)的所述第一開口中；以及

第二功能模塊，設(shè)置在所述下部結(jié)構(gòu)的所述第二開口中。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中，所述第一功能模塊包括選自相機模塊、臉部識別傳感器模塊、瞳孔識別傳感器模塊、加速度傳感器模塊、地磁傳感器模塊、接近度傳感器模塊、紅外傳感器模塊和照度傳感器模塊中的一種。