[發(fā)明專利]電子級(jí)多晶硅熱破碎加熱裝置和加熱方法及破碎裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210135546.2 | 申請(qǐng)日： | 2022-02-14 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN114534886A | 公開（公告）日： | 2022-05-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 閆家強(qiáng);張?zhí)煊?/a>;蔣文武;田新;吳鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B02C19/18 | 分類號(hào)： | B02C19/18;B02C23/00 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 吳婷 |
| 地址： | 221004 江蘇省*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電子 多晶 破碎 加熱 裝置 方法 | ||
1.一種電子級(jí)多晶硅熱破碎加熱裝置，其特征在于，包括：
傳送單元；
加熱倉(cāng)，所述加熱倉(cāng)的相對(duì)兩個(gè)側(cè)面上設(shè)有倉(cāng)口，所述傳送單元通過所述倉(cāng)口可移動(dòng)地貫穿所述加熱倉(cāng)，所述倉(cāng)口處設(shè)有倉(cāng)門，所述倉(cāng)門關(guān)閉時(shí)所述加熱倉(cāng)形成封閉空間，所述加熱倉(cāng)的內(nèi)壁上設(shè)有加熱器和溫度探測(cè)器，且所述加熱倉(cāng)壁上還設(shè)有抽真空口和保護(hù)氣體入口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子級(jí)多晶硅熱破碎加熱裝置，其特征在于，所述傳送單元包括齒輪和傳送帶，所述傳送帶設(shè)在所述齒輪上，所述加熱倉(cāng)的底壁的上表面設(shè)有與所述齒輪相對(duì)應(yīng)的齒痕。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子級(jí)多晶硅熱破碎加熱裝置，其特征在于，所述傳送帶包括多個(gè)傳送片，單個(gè)所述傳送片沿所述傳送單元長(zhǎng)度方向的長(zhǎng)度為8-12cm，相鄰所述傳送片之間的距離為1.5-2.5cm；
任選地，所述傳送帶的材質(zhì)為石英，所述石英中SiO2的質(zhì)量含量不低于99.99％，所述齒輪的材質(zhì)為304不銹鋼。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子級(jí)多晶硅熱破碎加熱裝置，其特征在于，所述倉(cāng)門通過密封層與所述倉(cāng)口密封；
任選地，所述密封層為特氟龍材質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的電子級(jí)多晶硅熱破碎加熱裝置，其特征在于，所述加熱倉(cāng)壁包括兩層，外層的材質(zhì)為304不銹鋼，內(nèi)層的材質(zhì)為石英，所述石英中SiO2的質(zhì)量含量不低于99.99％；
任選地，所述外層和所述內(nèi)層之間設(shè)有冷凍水盤管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的電子級(jí)多晶硅熱破碎加熱裝置，其特征在于，所述加熱倉(cāng)的側(cè)壁上還設(shè)有氣缸，所述氣缸通過連接桿與所述倉(cāng)門連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的電子級(jí)多晶硅熱破碎加熱裝置，其特征在于，所述保護(hù)氣體入口處設(shè)有納米過濾器；
任選地，進(jìn)入所述加熱倉(cāng)的所述保護(hù)氣體的純度不小于99.999％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的電子級(jí)多晶硅熱破碎加熱裝置，其特征在于，還包括PCL控制單元，所述PCL控制單元分別與所述加熱器、所述溫度探測(cè)器相連；
任選地，所述加熱器為碳纖維加熱管。
9.一種采用權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的電子級(jí)多晶硅熱破碎加熱裝置對(duì)多晶硅棒料進(jìn)行加熱的方法，其特征在于，包括：
(1)打開倉(cāng)門，采用傳送單元將待加熱的多晶硅棒料傳送至加熱倉(cāng)中，關(guān)閉所述倉(cāng)門，使所述加熱倉(cāng)形成封閉空間；
(2)通過抽真空口將所述加熱倉(cāng)內(nèi)的空氣排空，充入保護(hù)氣體；
(3)啟動(dòng)加熱器，將多晶硅棒料加熱至500-1000℃；
(4)打開所述倉(cāng)門，通過所述傳送單元將加熱完成的所述多晶硅棒傳送出所述加熱倉(cāng)；
任選地，步驟(3)包括如下步驟：
啟動(dòng)加熱器，將所述多晶硅棒料以15-20℃/min的加熱速度加熱至350-450℃；
將所述多晶硅棒料以25-35℃/min的加熱速度加熱至500-1000℃。
10.一種電子級(jí)多晶硅熱破碎裝置，其特征在于，所述電子級(jí)多晶硅熱破碎裝置具有權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的電子級(jí)多晶硅熱破碎加熱裝置。
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