[發(fā)明專利]電子級多晶硅熱破碎加熱裝置和加熱方法及破碎裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210135546.2
• 申請日: 2022-02-14
• 公開（公告）號: CN114534886A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閆家強(qiáng);張?zhí)煊?/a>;蔣文武;田新;吳鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司
• 主分類號: B02C19/18
• 分類號: B02C19/18;B02C23/00
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 吳婷

本發(fā)明公開了電子級多晶硅熱破碎加熱裝置和加熱方法及破碎裝置，所述裝置包括：傳送單元；加熱倉，所述加熱倉的相對兩個(gè)側(cè)面上設(shè)有倉口，所述傳送單元通過所述倉口可移動(dòng)地貫穿所述加熱倉，所述倉口處設(shè)有倉門，所述倉門關(guān)閉時(shí)所述加熱倉形成封閉空間，所述加熱倉的內(nèi)壁上設(shè)有加熱器和溫度探測器，且所述加熱倉壁上還設(shè)有抽真空口和保護(hù)氣體入口。多晶硅棒通過傳送單元自動(dòng)完成進(jìn)出加熱倉，多晶硅棒在完成加熱的過程中，除了傳送單元，沒有接觸過別的物質(zhì)，單一接觸源，避免了外來污染源的問題，同時(shí)保證了加熱效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，本發(fā)明涉及電子級多晶硅熱破碎加熱裝置和加熱方法及破碎裝置。

背景技術(shù)

多晶硅是用于電子行業(yè)的基礎(chǔ)材料，也是硅晶圓生產(chǎn)的主要原材料。我國的電子級多晶硅生產(chǎn)處于起步階段，除核心生產(chǎn)裝置引進(jìn)外，其他生產(chǎn)裝置各企業(yè)也有所不同。后處理工段是電子級多晶硅生產(chǎn)的最后一道加工工序，其主要生產(chǎn)任務(wù)是將還原氫化工段生產(chǎn)的多晶硅棒進(jìn)行破碎加工處理，生成最終產(chǎn)品，故稱后處理。因?yàn)殡娮蛹壎嗑Ч杓兌纫髽O高，后處理加工過程中很容易污染，電子級多晶硅后處理工序目前沒有成熟的設(shè)計(jì)方案參考借鑒，各生產(chǎn)廠都是在不斷摸索、補(bǔ)充、改進(jìn)后逐步完善的。因此，國內(nèi)外廠家近年來都在進(jìn)行硅料破碎的改進(jìn)，現(xiàn)有技術(shù)中有提出將多晶硅加熱，迅速降溫，然后破碎的技術(shù)方案，但是現(xiàn)有技術(shù)在加熱過程中會產(chǎn)生污染，有待進(jìn)一步改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的目的在于提出一種電子級多晶硅熱破碎加熱裝置和加熱方法及破碎裝置。多晶硅棒通過傳送單元自動(dòng)完成進(jìn)出加熱倉，多晶硅棒在完成加熱的過程中，除了傳送單元，沒有接觸過別的物質(zhì)，單一接觸源，避免了外來污染源的問題，同時(shí)保證了加熱效率。

在本發(fā)明的第一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種電子級多晶硅熱破碎加熱裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述電子級多晶硅熱破碎加熱裝置包括：

傳送單元；

加熱倉，所述加熱倉的相對兩個(gè)側(cè)面上設(shè)有倉口，所述傳送單元通過所述倉口可移動(dòng)地貫穿所述加熱倉，所述倉口處設(shè)有倉門，所述倉門關(guān)閉時(shí)所述加熱倉形成封閉空間，所述加熱倉的內(nèi)壁上設(shè)有加熱器和溫度探測器，且所述加熱倉壁上還設(shè)有抽真空口和保護(hù)氣體入口。

根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的電子級多晶硅熱破碎加熱裝置，通過傳送單元將待加熱的多晶硅棒傳送至加熱倉中，關(guān)閉倉門，使加熱倉形成封閉空間，通過抽真空口將加熱倉體內(nèi)的空氣排空，完成后充入保護(hù)氣體，用以阻隔氧氣，避免電子級多晶硅棒在加熱過程中因高溫而被氧化；啟動(dòng)加熱器，加熱倉內(nèi)的多晶硅棒，同時(shí)通過溫度探測器監(jiān)控加熱倉內(nèi)的溫度；加熱完成后，打開倉門，通過傳送單元將加熱完成的多晶硅棒傳送出加熱倉。由此，多晶硅棒通過傳送單元自動(dòng)完成進(jìn)出加熱倉，多晶硅棒在完成加熱的過程中，除了傳送單元，沒有接觸過別的物質(zhì)，單一接觸源，避免了外來污染源的問題，同時(shí)保證了加熱效率。

另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的電子級多晶硅熱破碎加熱裝置還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述傳送單元包括齒輪和傳送帶，所述傳送帶設(shè)在所述齒輪上，所述加熱倉的底壁的上表面設(shè)有與所述齒輪相對應(yīng)的齒痕。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述傳送帶包括多個(gè)傳送片，單個(gè)所述傳送片沿所述傳送單元長度方向的長度為8-12cm，相鄰所述傳送片之間的距離為1.5-2.5cm。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述傳送帶的材質(zhì)為石英，所述石英中SiO₂的質(zhì)量含量不低于99.99％，所述齒輪的材質(zhì)為304不銹鋼。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述倉門通過密封層與所述倉口密封。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述密封層為特氟龍材質(zhì)。