[發明專利]一種處理器的散熱器及其封裝方法、處理器和電子設備

在審

• 申請號: 202210129387.5
• 申請日: 2022-02-11
• 公開（公告）號: CN114501949A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 趙雨嫣
• 申請（專利權）人: 趙雨嫣
• 主分類號: H05K7/20
• 分類號: H05K7/20;G06F1/20
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 劉曾

本發明的實施例提供了一種處理器的散熱器及其封裝方法、處理器和電子設備，涉及散熱器封裝技術領域。其中，處理器的散熱器由其封裝方法制作而成，處理器包括該處理器的散熱器，電子設備包括上述的處理器。其中處理器的散熱器的封裝方法包括在肋片套設于底板的熱柱上后，對其進行沉積石墨烯，使得肋片與底板均涂覆上一層石墨烯涂層，使得肋片與底板固定裝配形成散熱器，不需要對肋片的鍍鉻處理及熱柱鍍錫處理，降低了重金屬的排放，也避免了通過熱熔實現肋片與熱柱的焊接，因此本發明提供的處理器的散熱器的封裝方法不僅簡化了工藝，還降低了肋片與熱柱接觸的熱阻，強化了散熱性能，使得散熱器在相同的散熱面積下，散熱能力更強。

技術領域

本發明涉及散熱器封裝技術領域，具體而言，涉及一種處理器的散熱器及其封裝方法、處理器和電子設備。

背景技術

處理器在工作的時候會產生大量的熱，如果不將這些熱量及時散發出去，輕則導致死機，重則可能將處理器燒毀，處理器的散熱器就是用來為處理器散熱的。散熱器對處理器的穩定運行起著決定性的作用。

經發明人研究發現，在現有的技術中，為解決肋片表面鈍化問題，大多會對肋片表面進行鍍鉻處理，并且也需要對熱柱表面鍍錫處理，之后通過熱熔的方法，實現肋片與熱柱的焊接，但鍍鉻工藝與鍍錫工藝都會產生重金屬排放問題，同時鍍上的鉻與錫的鍍層都會增加熱阻，進而對散熱性能會產生一定影響。

發明內容

本發明的目的包括，例如，提供了一種處理器的散熱器及其封裝方法、處理器和電子設備，處理器的散熱器的封裝方法既不需要對肋片進行鍍鉻處理，也不需要對底板的熱柱進行鍍錫處理，在肋片套設于底板的熱柱上后，對其進行沉積石墨烯，使得肋片與底板均涂覆上一層石墨烯涂層，使得肋片與底板固定裝配形成散熱器，避免了對肋片的鍍鉻處理及熱柱鍍錫處理，也避免了通過熱熔實現肋片與熱柱的焊接，由于石墨烯四大物理特性之一就是高的導熱性，因此本發明提供的處理器的散熱器的封裝方法不僅簡化了工藝，還降低了肋片與熱柱接觸的熱柱，強化了散熱性能，使得散熱器在相同的散熱面積下，散熱能力更強。

本發明的實施例可以這樣實現：

第一方面，本發明提供一種處理器的散熱器的封裝方法，包括：

將肋片套設于底板的熱柱上，以形成中間組件；

涂覆石墨烯于所述中間組件，使所述中間組件涂覆有石墨烯涂層，以使所述肋片與所述底板固定裝配形成散熱器。

在可選的實施方式中，所述涂覆石墨烯于所述中間組件的步驟包括：

制備石墨烯漿料；

氣化所述石墨烯漿料，以形成石墨烯納米顆粒；

使所述石墨烯納米顆粒帶上第一電荷和磁性；

使所述中間組件帶上與所述第一電荷相反的第二電荷及磁性，使所述中間組件吸引所述石墨烯納米顆粒，以形成所述石墨烯涂層。

在可選的實施方式中，所述使所述石墨烯納米顆粒帶上第一電荷和磁性的步驟包括：

使所述石墨烯納米顆粒通過電場與磁場。

在可選的實施方式中，所述使所述石墨烯納米顆粒通過電場與磁場的步驟之后還包括：

使所述石墨烯納米顆粒進入溫度在80-240℃的沉積室。

在可選的實施方式中，所述石墨烯涂層為石墨烯納米涂層。

在可選的實施方式中，所述石墨烯涂層的疏水角范圍為105-120度。

第二方面，本發明提供一種處理器的散熱器，由前述實施方式任一項所述的處理器的散熱器的封裝方法制作而成。