[發明專利]一種激光器、制備方法及光模塊

在審

• 申請號: 202210127984.4
• 申請日: 2022-02-11
• 公開（公告）號: CN116632645A
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 崔楨俊;冷祥;黃曉東
• 申請（專利權）人: 青島海信寬帶多媒體技術有限公司
• 主分類號: H01S5/02315
• 分類號: H01S5/02315;H01S5/343
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

本申請提供的一種激光器、制備方法及光模塊，包括：襯底；臺面結構，設置在所述襯底的上方，兩側面為平面且剖面為梯形面；絕緣層，設置在所述臺面結構的兩側面且位于所述襯底的上方；P波導層，設置在所述臺面結構和所述絕緣層的上方；電極接觸層，設置在所述P波導層上。本申請提供的激光器、制備方法及光模塊，能夠避免量子阱結構半導體激光器中臺面結構下方形成比較大的底切，進而可有效減少出現繼續外延填充時出現填充不滿的問題，避免因為填充不滿造成漏電等問題。

技術領域

本申請涉及光通信技術領域，尤其涉及一種激光器、制備方法及光模塊。

背景技術

隨著物聯網、大數據和云計算技術的飛速發展，信息交互所需要的數據通信量呈現出爆炸式增長，應運而生的光纖通信技術隨之成為能夠實現高速信息傳輸的首選技術。隨著光纖通信的快速發展，單模和高速直調激光器成為未來光通信領域里的主流光器件，是長距離和大容量光纖通信的關鍵器件。

量子阱結構半導體激光器是一種常用于光纖通信的關鍵器件。而在量子阱結構半導體激光器制備過程中，需要通過刻蝕形成激光器臺面結構，如通過濕法刻蝕。經濕法腐蝕的側壁和表面潔凈度高，利于接下去的外延生長；同時采用濕法腐蝕對于前序工藝，例如光刻的精度，掩膜質量的要求不高。然而，濕法刻蝕的所形成的結構有可能不穩定，如造成掩膜下的臺面結構的下方形成比較大的底切，使在外延填充時出現填充不滿此區域，進而出現漏電等性能缺陷。

發明內容

本申請實施例提供了一種激光器、制備方法及光模塊，用于避免量子阱結構半導體激光器中臺面結構下方形成比較大的底切，以防造成因為填充不滿而出現漏電的問題。

第一方面，本申請提供了一種激光器，用于光模塊，包括：

襯底；

臺面結構，設置在所述襯底的上方，兩側面為平面且剖面為梯形面；

絕緣層，設置在所述臺面結構的兩側面且位于所述襯底的上方；

P波導層，設置在所述臺面結構和所述絕緣層的上方；

電極接觸層，設置在所述P波導層上。

第二方面，本申請提供了一種激光器制備方法，所述方法包括：

在襯底層上生長外延層，形成外延基片；

在外延基片上形成掩膜層，通過干法刻蝕在外延基片上形成側壁垂直結構；

通過濕法刻蝕，在側壁垂直結構上形成兩側面為平面且剖面為梯形面的臺面結構；

在臺面結構的兩側面填充生長絕緣層；

在絕緣層和臺面結構的上方生長形成P波導層；

在P波導層的上方生長形成電極接觸層。

第三方面，本申請提供了一種光模塊，包括：

電路板；

光發射部件，與所述電路板電連接，用于產生并輸出信號光，包括激光器；

其中，所述激光器包括第一方面所述的激光器或第二方面所述的制備方法制備的激光器。

本申請提供的一種激光器、制備方法及光模塊，臺面結構的兩側面為平面且臺面結構的剖面為梯形面，同時通過本申請提供的制備方法保證臺面結構的兩側面為平面且臺面結構的剖面為梯形面，進而能夠避免量子阱結構半導體激光器中臺面結構下方形成比較大的底切，進而可有效減少出現繼續外延填充時出現填充不滿的問題，避免因為填充不滿造成漏電等問題。

附圖說明