[發明專利]一種激光器、制備方法及光模塊

在審

• 申請號: 202210127984.4
• 申請日: 2022-02-11
• 公開（公告）號: CN116632645A
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 崔楨俊;冷祥;黃曉東
• 申請（專利權）人: 青島海信寬帶多媒體技術有限公司
• 主分類號: H01S5/02315
• 分類號: H01S5/02315;H01S5/343
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種激光器，其特征在于，用于光模塊，包括：

襯底；

臺面結構，設置在所述襯底的上方，兩側面為平面且剖面為梯形面；

絕緣層，設置在所述臺面結構的兩側面且位于所述襯底的上方；

P波導層，設置在所述臺面結構和所述絕緣層的上方；

電極接觸層，設置在所述P波導層上。

2.根據權利要求1所述的激光器，其特征在于，所述臺面結構自下向上依次包括InP緩沖層、N限制層、InGaAsP量子阱有源層、下限制層、波導層和光柵層，所述InP緩沖層設置在所述襯底的上方，所述襯底為N型InP襯底。

3.根據權利要求1所述的激光器，其特征在于，所述臺面結構與所述襯底的底切為200-400nm。

4.一種激光器制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底層上生長外延層，形成外延基片；

在外延基片上形成掩膜層，通過干法刻蝕在外延基片上形成側壁垂直結構；

通過濕法刻蝕，在側壁垂直結構上形成兩側面為平面且剖面為梯形面的臺面結構；

在臺面結構的兩側面填充生長絕緣層；

在絕緣層和臺面結構的上方生長形成P波導層；

在P波導層的上方生長形成電極接觸層。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述臺面結構與襯底層的底切為200-400nm。

6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，在襯底層上生長外延層，形成外延基片，包括：

在N型InP襯底層上依次生長形成InP緩沖層、N限制層、InGaAsP量子阱有源層、下限制層、波導層和光柵層，形成外延基片。

7.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，在臺面結構的兩側面填充生長絕緣層，包括：

采用MOCVD在臺面結構的兩側面填充生長包括Si-InP和Fe-InP的絕緣層。

8.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，在外延基片上形成掩膜層，包括：

通過PECVD在外延基片上沉積SiO₂/SiNx，使用光刻版形成掩膜圖形；

通過反應離子刻蝕，形成掩膜層。

9.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，通過干法刻蝕在外延基片上形成側壁垂直結構，包括：

通過干法刻蝕至InP緩沖層，在外延基片上形成側壁垂直結構。

10.一種光模塊，其特征在于，包括：

電路板；

光發射部件，與所述電路板電連接，用于產生并輸出信號光，包括激光器；

其中，所述激光器包括權利要求1-3所述的激光器或權利要求4-9任意一項所述的制備方法制備的激光器。