[發(fā)明專利]一種共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210127908.3
• 申請日: 2022-02-11
• 公開（公告）號: CN114520214A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發(fā)明（設計）人: 朱樹華;徐顯修
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市時代速信科技有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 崔熠

本申請?zhí)峁┮环N共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，包括常斷型晶體管、常通型晶體管、封裝框架以及并排設置于封裝框架內(nèi)的第一基板和第二基板，常斷型晶體管的底面貼裝于第一基板，常通型晶體管底面貼裝于第二基板，常斷型晶體管包括位于頂面的第一源極和第一漏極、以及位于底面的第一柵極，常通型晶體管包括位于頂面的第二源極、第二漏極和第二柵極，第一源極與第二柵極連接，第一漏極和第二源極連接。因此，可以有效縮短第一源極和第二柵極連接時的打線距離，縮短第一漏極和第二源極連接時的打線距離，進而有效降低因級聯(lián)所產(chǎn)生的寄生電感，同時，也能夠方便打線，降低打線難度和復雜度，從而降低封裝成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

常規(guī)簡單結(jié)構(gòu)的氮化鎵晶體管是耗盡型器件，當柵壓為零時，器件內(nèi)部由于極化作用產(chǎn)生的2DEG導電，器件處于導通狀態(tài)；當施加負柵壓時，柵極下方的導電溝道被耗盡，載流子的減少抑制了電流的產(chǎn)生，器件處于關(guān)閉狀態(tài)，這與傳統(tǒng)的常斷型晶體管(硅基晶體管)都完全不同，對于工業(yè)應用特別是開關(guān)電源領(lǐng)域是非常難以使用的。為了應對這一問題，業(yè)界通常采用級聯(lián)結(jié)構(gòu)得到的共源共柵晶體管來解決這一問題。

共源共柵晶體管中的常斷型晶體管和常通型晶體管級聯(lián)在一起，好處在于其驅(qū)動與傳統(tǒng)常斷型晶體管的驅(qū)動完全相同，但是該結(jié)構(gòu)也有明顯的缺點：兩晶體管之間需要通過復雜的打線連接，導致最終封裝器件的寄生電感非常大，而且結(jié)構(gòu)復雜，增加封裝成本。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的目的在于，針對上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)，以改善現(xiàn)有共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)因復雜的打線所導致的寄生電感較大、結(jié)構(gòu)復雜以及封裝成本較高的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本申請實施例采用的技術(shù)方案如下：

本申請實施例的一方面，提供一種共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)，包括常斷型晶體管、常通型晶體管、封裝框架以及并排設置于封裝框架內(nèi)的第一基板和第二基板，常斷型晶體管的底面貼裝于第一基板，常通型晶體管底面貼裝于第二基板，常斷型晶體管包括位于頂面的第一源極和第一漏極、以及位于底面的第一柵極，常通型晶體管包括位于頂面的第二源極、第二漏極和第二柵極，第一源極與第二柵極連接，第一漏極和第二源極連接。

可選的，常斷型晶體管和常通型晶體管于封裝框架內(nèi)沿第一方向并排設置，且，第一源極和第一漏極沿與第一方向水平垂直的第二方向并排，第二柵極和第二源極沿第二方向并排，第一源極與第二柵極沿第一方向并排，第一漏極與第二源極沿第一方向并排。

可選的，第一源極包括與第二柵極連接的第一連接位，第二柵極包括與第一源極連接的第二連接位，第一連接位位于第一源極靠近第二柵極的一端，第二連接位位于第二柵極靠近第一源極的一端。

可選的，第一漏極包括與第二源極連接的第三連接位，第二源極包括與第一漏極連接的第四連接位，第三連接位位于第一漏極靠近第二源極的一端，第四連接位位于第二源極靠近第一漏極的一端。

可選的，常通型晶體管還包括連接第二柵極和第二基板的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)。

可選的，常斷型晶體管通過導電銀膠貼裝于第一基板，常通型晶體管通過導電銀膠貼裝于第二基板。

本申請實施例的另一方面，提供一種共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)，包括封裝框架以及依次層疊于封裝框架內(nèi)的第二基板、常通型晶體管和常斷型晶體管，常通型晶體管的底面貼裝于第二基板，常斷型晶體管的底面貼裝于常通型晶體管的頂面，常斷型晶體管包括位于底面的第一源極和第一漏極、以及位于頂面的第一柵極，常通型晶體管包括位于頂面的第二源極、第二漏極和第二柵極，第一源極與第二柵極連接，第一漏極與第二源極連接。

可選的，第一源極與第二柵極于層疊方向正對應，第一漏極與第二源極于層疊方向正對應。

可選的，常通型晶體管還包括連接第二柵極和第二基板的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)。