[發(fā)明專利]一種共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)

在審

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• 申請日: 2022-02-11
• 公開（公告）號: CN114520214A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱樹華;徐顯修
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市時代速信科技有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 崔熠

1.一種共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括常斷型晶體管、常通型晶體管、封裝框架以及并排設(shè)置于所述封裝框架內(nèi)的第一基板和第二基板，所述常斷型晶體管的底面貼裝于所述第一基板，所述常通型晶體管底面貼裝于所述第二基板，所述常斷型晶體管包括位于頂面的第一源極和第一漏極、以及位于底面的第一柵極，所述常通型晶體管包括位于頂面的第二源極、第二漏極和第二柵極，所述第一源極與所述第二柵極連接，所述第一漏極和所述第二源極連接。

2.如權(quán)利要求1所述的共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述常斷型晶體管和所述常通型晶體管于所述封裝框架內(nèi)沿第一方向并排設(shè)置，且，所述第一源極和所述第一漏極沿與所述第一方向水平垂直的第二方向并排，所述第二柵極和所述第二源極沿所述第二方向并排，所述第一源極與所述第二柵極沿第一方向并排，所述第一漏極與所述第二源極沿第一方向并排。

3.如權(quán)利要求2所述的共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一源極包括與所述第二柵極連接的第一連接位，所述第二柵極包括與所述第一源極連接的第二連接位，所述第一連接位位于所述第一源極靠近所述第二柵極的一端，所述第二連接位位于所述第二柵極靠近所述第一源極的一端。

4.如權(quán)利要求2所述的共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一漏極包括與所述第二源極連接的第三連接位，所述第二源極包括與所述第一漏極連接的第四連接位，所述第三連接位位于所述第一漏極靠近所述第二源極的一端，所述第四連接位位于所述第二源極靠近所述第一漏極的一端。

5.如權(quán)利要求1至4任一項所述的共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述常通型晶體管還包括連接所述第二柵極和所述第二基板的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1至4任一項所述的共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述常斷型晶體管通過導(dǎo)電銀膠貼裝于所述第一基板，所述常通型晶體管通過導(dǎo)電銀膠貼裝于所述第二基板。

7.一種共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括封裝框架以及依次層疊于所述封裝框架內(nèi)的第二基板、常通型晶體管和常斷型晶體管，所述常通型晶體管的底面貼裝于所述第二基板，所述常斷型晶體管的底面貼裝于所述常通型晶體管的頂面，所述常斷型晶體管包括位于底面的第一源極和第一漏極、以及位于頂面的第一柵極，所述常通型晶體管包括位于頂面的第二源極、第二漏極和第二柵極，所述第一源極與所述第二柵極連接，所述第一漏極與所述第二源極連接。

8.如權(quán)利要求7所述的共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一源極與所述第二柵極于所述層疊方向正對應(yīng)，所述第一漏極與所述第二源極于所述層疊方向正對應(yīng)。

9.如權(quán)利要求7或8所述的共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述常通型晶體管還包括連接所述第二柵極和所述第二基板的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求7或8所述的共源共柵晶體管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述常通型晶體管通過導(dǎo)電銀膠貼裝于所述第二基板，所述常斷型晶體管通過導(dǎo)電銀膠貼裝于所述常通型晶體管。