[發(fā)明專(zhuān)利]非易失性存儲(chǔ)器裝置及其操作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210126135.7
• 申請(qǐng)日: 2022-02-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115083488A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李明雨;金勝淵;申?yáng)|夏;趙栢衡
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G11C16/24
• 分類(lèi)號(hào): G11C16/24;G11C16/14
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 張川緒;方成

公開(kāi)了非易失性存儲(chǔ)器裝置及其操作方法。所述非易失性存儲(chǔ)器裝置包括：多條位線，與多個(gè)單元串連接；共源極線，與所述多個(gè)單元串連接；至少一條虛設(shè)位線，設(shè)置在共源極線與所述多條位線之間；控制邏輯電路，響應(yīng)于來(lái)自外部裝置的命令而生成至少一個(gè)虛設(shè)位線驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及虛設(shè)位線驅(qū)動(dòng)器，響應(yīng)于所述虛設(shè)位線驅(qū)動(dòng)信號(hào)選擇性地向所述至少一條虛設(shè)位線提供第一電壓。

本申請(qǐng)要求于2021年3月6日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2021-0034202號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，所述韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的公開(kāi)通過(guò)引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

公開(kāi)的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，并且更具體地，涉及非易失性存儲(chǔ)器裝置及其操作方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置被分類(lèi)為在電源中斷時(shí)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)消失的易失性存儲(chǔ)器裝置(諸如，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)或動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)等)、或者即使在電源中斷時(shí)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)也被保持的非易失性存儲(chǔ)器裝置(諸如，閃存裝置、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)或鐵電RAM(FRAM)等)。

在讀取操作中，閃存裝置通過(guò)感測(cè)與存儲(chǔ)器單元連接的位線的電壓變化來(lái)讀取存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)。在這種情況下，電流可能流過(guò)與存儲(chǔ)器單元連接的共源極線，并且由于共源極線的電流引起的噪聲可能被引入位線。也就是說(shuō)，位線的電壓可能受到由于共源極線的電流引起的噪聲的影響，從而導(dǎo)致閃存裝置的可靠性降低。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的實(shí)施例提供了一種通過(guò)使由于共源極線引起的噪聲的影響最小化而具有改進(jìn)的可靠性和改進(jìn)的性能的非易失性存儲(chǔ)器裝置及其操作方法。

根據(jù)實(shí)施例，一種非易失性存儲(chǔ)器裝置包括：多條位線，與多個(gè)單元串連接；共源極線，與所述多個(gè)單元串連接；至少一條虛設(shè)位線，設(shè)置在共源極線與所述多條位線之間；控制邏輯電路，響應(yīng)于來(lái)自外部裝置的命令而生成至少一個(gè)虛設(shè)位線驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及虛設(shè)位線驅(qū)動(dòng)器，響應(yīng)于所述虛設(shè)位線驅(qū)動(dòng)信號(hào)選擇性地向所述至少一條虛設(shè)位線提供第一電壓。

根據(jù)實(shí)施例，一種非易失性存儲(chǔ)器裝置包括：外圍電路，形成在半導(dǎo)體基底上；存儲(chǔ)器單元陣列，形成在外圍電路上并且包括多個(gè)單元串；以及金屬層，形成在存儲(chǔ)器單元陣列上。金屬層包括：多條位線，與所述多個(gè)單元串連接；共源極線，與所述多個(gè)單元串連接；以及至少一條虛設(shè)位線，設(shè)置在所述多條位線與共源極線之間。外圍電路包括：控制邏輯電路，響應(yīng)于來(lái)自外部裝置的命令而生成至少一個(gè)虛設(shè)位線驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及虛設(shè)位線驅(qū)動(dòng)器，響應(yīng)于所述至少一個(gè)虛設(shè)位線驅(qū)動(dòng)信號(hào)選擇性地向所述至少一條虛設(shè)位線提供第一電壓。

根據(jù)實(shí)施例，一種非易失性存儲(chǔ)器裝置的操作方法包括：(1)從外部裝置接收讀取命令，(2)響應(yīng)于讀取命令，將第一電壓施加到存在于多條位線與共源極線之間的至少一條虛設(shè)位線，(3)響應(yīng)于讀取命令而執(zhí)行讀取操作，(4)從外部裝置接收擦除命令，(5)響應(yīng)于擦除命令，使所述至少一條虛設(shè)位線浮置，(6)電連接所述至少一條虛設(shè)位線和共源極線，或者將擦除電壓施加到所述至少一條虛設(shè)位線，以及(7)響應(yīng)于擦除命令而執(zhí)行擦除操作。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本公開(kāi)的實(shí)施例，本公開(kāi)的以上和其他目的和特征將變得清楚。

圖1是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器裝置的框圖。

圖2是示出包括在圖1的存儲(chǔ)器單元陣列中的多個(gè)存儲(chǔ)器塊中的一個(gè)存儲(chǔ)器塊BLK的實(shí)施例的電路圖。

圖3是示出圖1的非易失性存儲(chǔ)器裝置的立體圖。

圖4示出沿圖3的線“A”截取的非易失性存儲(chǔ)器裝置的剖視圖。

圖5示出沿圖3的線“B”截取的非易失性存儲(chǔ)器裝置的剖視圖。

圖6是示出圖3的金屬層中的單元核區(qū)域的平面圖。