[發明專利]非易失性存儲器裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 202210126135.7
• 申請日: 2022-02-10
• 公開（公告）號: CN115083488A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 李明雨;金勝淵;申東夏;趙栢衡
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/24
• 分類號: G11C16/24;G11C16/14
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張川緒;方成

1.一種非易失性存儲器裝置，包括：

多條位線，與多個單元串連接；

共源極線，與所述多個單元串連接；

至少一條虛設位線，設置在共源極線與所述多條位線之間；

控制邏輯電路，被配置為響應于來自外部裝置的命令而生成至少一個虛設位線驅動信號；以及

虛設位線驅動器，被配置為響應于所述至少一個虛設位線驅動信號選擇性地向所述至少一條虛設位線提供第一電壓。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，虛設位線驅動器包括第一開關，第一開關連接在所述至少一條虛設位線與接收第一電壓的第一端子之間，并且第一開關被配置為響應于所述至少一個虛設位線驅動信號中的第一虛設位線驅動信號而操作。

3.根據權利要求2所述的非易失性存儲器裝置，其中，控制邏輯電路被配置為：

響應于確定所述命令不是擦除命令，生成第一虛設位線驅動信號，使得第一開關被閉合；以及

響應于確定所述命令是擦除命令，生成第一虛設位線驅動信號，使得第一開關被斷開。

4.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，虛設位線驅動器包括：

第一開關，連接在所述至少一條虛設位線與接收第一電壓的第一端子之間，并且被配置為響應于所述至少一個虛設位線驅動信號中的第一虛設位線驅動信號而操作；以及

第二開關，連接在所述至少一條虛設位線與共源極線之間，并且被配置為響應于所述至少一個虛設位線驅動信號中的第二虛設位線驅動信號而操作。

5.根據權利要求4所述的非易失性存儲器裝置，其中，控制邏輯電路被配置為：

響應于確定所述命令不是擦除命令，生成第一虛設位線驅動信號和第二虛設位線驅動信號，使得第一開關被閉合并且第二開關被斷開；以及

響應于確定所述命令是擦除命令，生成第一虛設位線驅動信號和第二虛設位線驅動信號，使得第一開關被斷開并且第二開關被閉合。

6.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，還包括：擦除電壓生成器，被配置為在擦除操作中生成擦除電壓并將擦除電壓提供給共源極線、位線或者共源極線和位線二者。

7.根據權利要求6所述的非易失性存儲器裝置，其中，虛設位線驅動器包括：

第一開關，連接在所述至少一條虛設位線與接收第一電壓的第一端子之間，并且被配置為響應于所述至少一個虛設位線驅動信號中的第一虛設位線驅動信號而操作；以及

第二開關，連接在所述至少一條虛設位線與擦除電壓生成器之間，并且被配置為響應于所述至少一個虛設位線驅動信號中的第二虛設位線驅動信號而選擇性地將擦除電壓從擦除電壓生成器提供給所述至少一條虛設位線。

8.根據權利要求1至7中的任一項所述的非易失性存儲器裝置，其中，第一電壓是地電壓。

9.根據權利要求8所述的非易失性存儲器裝置，其中：

當所述命令是讀取命令時，虛設位線驅動器被配置為：

在對所述多條位線執行預充電操作時，將第二電壓施加到所述至少一條虛設位線；以及

在對所述多條位線執行感測操作時，向所述至少一條虛設位線提供第一電壓，以及

第二電壓是所述多條位線的預充電電壓。

10.根據權利要求1至7中的任一項所述的非易失性存儲器裝置，還包括：

頁緩沖器電路，與所述多條位線電連接，其中：

頁緩沖器電路和虛設位線驅動器形成在半導體基底上的外圍電路區域中，并且

所述多個單元串、所述多條位線、共源極線和所述至少一條虛設位線形成在外圍電路區域上的存儲器單元區域中。

11.根據權利要求10所述的非易失性存儲器裝置，其中：

所述多條位線通過穿透存儲器單元區域的多個第一貫穿塞分別與頁緩沖器電路電連接，以及

所述至少一條虛設位線通過穿透存儲器單元區域的至少一個第二貫穿塞與虛設位線驅動器連接。