[發明專利]具有使用減材圖案化形成的底部部分的堆疊過孔在審
| 申請號: | 202210125604.3 | 申請日: | 2022-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN115084086A | 公開(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發明(設計)人: | A·C-H·韋;G·布歇 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L23/522 | 分類號: | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 使用 圖案 形成 底部 部分 堆疊 | ||
1.一種集成電路(IC)結構,包括:
支撐結構;
第一金屬化層和第二金屬化層,所述第一金屬化層和所述第二金屬化層在所述支撐結構上方,其中,所述第一金屬化層包括底部導電線,所述第二金屬化層包括頂部導電線,并且所述第一金屬化層在所述支撐結構與所述第二金屬化層之間;以及
過孔,所述過孔具有耦接到所述底部導電線的底部過孔部分和耦接到所述頂部導電線的頂部過孔部分;
其中:
所述底部過孔部分與所述底部導電線自對準,并且
所述頂部過孔部分與所述頂部導電線自對準。
2.根據權利要求1所述的IC結構,其中,通過以下操作使所述底部過孔部分與所述底部導電線自對準:
使所述底部過孔部分的第一面與所述底部導電線的第一側壁基本上在單個平面中,以及
使所述底部過孔部分的第二面與所述底部導電線的第二側壁基本上在單個平面中。
3.根據權利要求1所述的IC結構,其中,通過以下操作使所述頂部過孔部分與所述頂部導電線自對準:
使所述頂部過孔部分的第三面與所述頂部導電線的第一側壁基本上在單個平面中,以及
使所述頂部過孔部分的第四面與所述頂部導電線的第二側壁基本上在單個平面中。
4.根據權利要求1所述的IC結構,其中,通過以下操作使所述頂部過孔部分與所述頂部導電線自對準:
使所述頂部過孔部分的第三面與所述頂部導電線的第一側壁對準,以及
使所述頂部過孔部分的第四面與所述頂部導電線的第二側壁對準。
5.根據權利要求1-3中任一項所述的IC結構,其中:
所述底部過孔部分和所述頂部過孔部分中的每一個具有第一面、第二面、第三面和第四面,其中,所述第二面與所述第一面相對,并且其中,所述第四面與所述第三面相對,
所述底部過孔部分的所述第一面與所述底部導電線的第一側壁在單個平面中,
所述底部過孔部分的所述第二面與所述底部導電線的第二側壁在單個平面中,
所述頂部過孔部分的所述第三面與所述頂部導電線的第一側壁在單個平面中,并且
所述頂部過孔部分的所述第四面與所述頂部導電線的第二側壁在單個平面中。
6.根據權利要求5所述的IC結構,其中,所述底部過孔部分的所述第一面與所述第二面之間的距離小于所述頂部過孔部分的所述第一面與所述第二面之間的距離。
7.根據權利要求5所述的IC結構,其中,所述頂部過孔部分的所述第三面與所述第四面之間的距離小于所述底部過孔部分的所述第三面與所述第四面之間的距離。
8.根據權利要求5所述的IC結構,其中,所述底部過孔部分的所述第一面和所述第二面中的每個面基本上是平坦的。
9.根據權利要求5所述的IC結構,其中,所述頂部過孔部分的所述第三面和所述第四面中的每個面基本上是平坦的。
10.一種電子設備,包括:
電路板;以及
集成電路(IC)管芯,所述集成電路(IC)管芯耦接到所述電路板,所述IC管芯包括:
支撐結構,
底部導電線,所述底部導電線在所述支撐結構上方,
頂部導電線,所述頂部導電線比所述底部導電線更遠離所述支撐結構,以及
過孔,所述過孔具有耦接到所述底部導電線的底部過孔部分和耦接到所述頂部導電線的頂部過孔部分,其中:
所述底部過孔部分在距所述支撐結構第一距離處具有第一寬度,并且在距所述支撐結構第二距離處具有第二寬度,其中,所述第一距離小于所述第二距離,并且所述底部過孔部分的所述第二寬度小于所述底部過孔部分的所述第一寬度。
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