[發明專利]一種半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 202210123457.6
• 申請日: 2022-02-10
• 公開（公告）號: CN114171586B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 石田浩
• 申請（專利權）人: 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 王積毅

1.一種半導體裝置，其特征在于，其至少包括：

第一場效應晶體管；以及

第二場效應晶體管；

設定所述第一場效應晶體管的源極側的輕摻雜漏極，為源極側輕摻雜漏極部，設定所述第一場效應晶體管的漏極側的輕摻雜漏極，為漏極側輕摻雜漏極部，則所述漏極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度，大于所述源極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度；

所述源極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度，小于設置于所述第二場效應晶體管的輕摻雜漏極的輕摻雜漏極長度，所述漏極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度，大于設置于所述第二場效應晶體管的輕摻雜漏極的輕摻雜漏極長度；

其中，所述第一場效應晶體管和所述第二場效應晶體管的溝道長度相等。

2.根據權利要求1所述的一種半導體裝置，其特征在于，所述源極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度，和所述漏極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度相加而得到的長度，是設置于所述第二場效應晶體管的輕摻雜漏極的長度的2倍。

3.根據權利要求1或2所述的一種半導體裝置，其特征在于，所述源極側輕摻雜漏極部的深度與所述漏極側輕摻雜漏極部的深度相等。

4.根據權利要求1或2所述的一種半導體裝置，其特征在于，所述源極側輕摻雜漏極部的雜質濃度與所述漏極側輕摻雜漏極部的雜質濃度相等。

5.根據權利要求1或2所述的一種半導體裝置，其特征在于，在所述半導體裝置中，設置有多個所述第一場效應晶體管，并且多個所述第一場效應晶體管彼此相鄰。

6.根據權利要求5所述的一種半導體裝置，其特征在于，在所述半導體裝置中，設置有多個所述第一場效應晶體管，且多個所述第一場效應晶體管的源極彼此連接，多個所述第一場效應晶體管的漏極彼此連接。

7.根據權利要求1所述的一種半導體裝置，其特征在于，所述第一場效應晶體管是高電壓金屬氧化物半導體場效應晶體管，且電源電壓為2.5V以上且8V以下。

8.根據權利要求1所述的一種半導體裝置，其特征在于，所述第一場效應晶體管構成輸出緩沖電路。

9.根據權利要求1或2所述的一種半導體裝置，其特征在于，設定所述源極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度為d1，且所述漏極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度為d2，且d2/d1≥2。

10.根據權利要求1或2所述的一種半導體裝置，其特征在于，設定所述源極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度為d1，且所述漏極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度為d2，且d2/d1≥6。

11.根據權利要求1或2所述的一種半導體裝置，其特征在于，設定所述源極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度為d1，且所述漏極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度為d2的情況下，且d2/d1≥9。

12.一種半導體裝置的制造方法，用于制造包括第一場效應晶體管和第二場效應晶體管的半導體裝置，其特征在于，包括：

柵極形成工序，形成所述第一場效應晶體管的柵極；

源極?漏極形成工序，形成所述第一場效應晶體管的源極及漏極；以及

輕摻雜漏極注入工序，形成源極側輕摻雜漏極部和漏極側輕摻雜漏極部，其中，所述源極側輕摻雜漏極部作為所述第一場效應晶體管的源極側的輕摻雜漏極，所述漏極側輕摻雜漏極部作為所述第一場效應晶體管的漏極側的輕摻雜漏極；

所述漏極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度，大于所述源極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度；

所述源極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度，小于設置于所述第二場效應晶體管的輕摻雜漏極的輕摻雜漏極長度，所述漏極側輕摻雜漏極部的輕摻雜漏極長度，大于設置于所述第二場效應晶體管的輕摻雜漏極的輕摻雜漏極長度；

其中，所述第一場效應晶體管和所述第二場效應晶體管的溝道長度相等。