[發明專利]晶圓、半導體裝置及其制造方法在審
| 申請號： | 202210123253.2 | 申請日： | 2022-02-10 |
| 公開（公告）號： | CN115732535A | 公開（公告）日： | 2023-03-03 |
| 發明（設計）人： | 櫛部光弘;西尾讓司;飯島良介;清水達雄;太田千春;須山章子 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
提供能夠提高特性的晶圓、半導體裝置及其制造方法。根據實施方式，晶圓包括基板以及結晶層。所述基板包括包含SiC的多個SiC區域和設置于所述多個SiC區域之間且包含Si的SiC間區域。所述結晶層包括包含SiC的第一層和在第一方向上設置于所述基板與所述第一層之間且包含SiC的第一中間層。所述第一層以第一層濃度包含氮。所述第一中間層中的氮的第一中間層濃度比所述第一濃度高。
本申請以日本專利申請2021-141053(申請日2021年8月31日)為基礎，從本申請享有優先權。本申請通過參照該申請，從而包括該申請的全部內容。
技術領域
本發明的實施方式涉及晶圓、半導體裝置、晶圓的制造方法以及半導體裝置的制造方法。
背景技術
在用于半導體裝置的制造的晶圓中，期望提高特性。
發明內容
本發明的實施方式提供能夠提高特性的晶圓、半導體裝置、晶圓的制造方法以及半導體裝置的制造方法。
根據本發明的實施方式，晶圓包括基板以及結晶層。所述基板包括包含SiC的多個SiC區域和設置于所述多個SiC區域之間且包含Si的SiC間區域。所述結晶層包括包含SiC的第一層和在第一方向上設置于所述基板與所述第一層之間且包含SiC的第一中間層。所述第一層以第一層濃度包含氮。所述第一中間層中的氮的第一中間層濃度比所述第一濃度高。
根據上述結構的晶圓，能夠提供能夠提高特性的晶圓、半導體裝置、晶圓的制造方法以及半導體裝置的制造方法。
附圖說明
圖1(a)以及圖1(b)是例示第一實施方式的晶圓的示意剖視圖。
圖2是例示晶圓的特性的曲線圖。
圖3(a)以及圖3(b)是例示晶圓的特性的曲線圖。
圖4(a)以及圖4(b)是例示晶圓的特性的曲線圖。
圖5(a)以及圖5(b)是例示晶圓的特性的曲線圖。
圖6是例示晶圓的特性的曲線圖。
圖7(a)以及圖7(b)是例示第一實施方式的晶圓的示意剖視圖。
圖8(a)～圖8(c)是例示第二實施方式的晶圓的制造方法的示意剖視圖。
圖9(a)～圖9(c)是例示第二實施方式的晶圓的制造方法的示意剖視圖。
圖10(a)～圖10(c)是例示第二實施方式的晶圓的制造方法的示意剖視圖。
圖11(a)～圖11(c)是例示第二實施方式的晶圓的制造方法的示意剖視圖。
圖12(a)～圖12(c)是例示第二實施方式的晶圓的制造方法的示意剖視圖。
圖13是例示與實施方式的半導體裝置的制造方法有關的特性的曲線圖。
圖14(a)～圖14(d)是例示第三實施方式的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。
圖15(a)～圖15(c)是例示第三實施方式的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。
圖16是例示第四實施方式的半導體裝置的示意剖視圖。
圖17是例示第四實施方式的半導體裝置的示意剖視圖。
圖18是例示第四實施方式的半導體裝置的示意剖視圖。
圖19是例示第四實施方式的半導體裝置的示意剖視圖。
圖20是例示第四實施方式的半導體裝置的示意剖視圖。
圖21是例示第四實施方式的半導體裝置的示意剖視圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社東芝，未經株式會社東芝許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210123253.2/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：便于調節使用的電動地刷
- 下一篇：盤裝置
- 同類專利
- 專利分類
