[發明專利]晶圓、半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202210123253.2
• 申請日: 2022-02-10
• 公開（公告）號: CN115732535A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發明（設計）人: 櫛部光弘;西尾讓司;飯島良介;清水達雄;太田千春;須山章子
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/336
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 肖靖

1.一種晶圓，具備：

基板，包括包含SiC的多個SiC區域和設置于所述多個SiC區域之間且包含Si的SiC間區域；以及

結晶層，所述結晶層包括包含SiC的第一層和在第一方向上設置于所述基板與所述第一層之間且包含SiC的第一中間層，所述第一層以第一層濃度包含氮，所述第一中間層中的氮的第一中間層濃度比所述第一濃度高。

2.根據權利要求1所述的晶圓，其中，

所述第一中間層濃度為所述第一層濃度的5倍以上。

3.根據權利要求1所述的晶圓，其中，

所述第一層濃度為1×10¹⁵cm^-3以上且2×10¹⁷cm^-3以下，

所述第一中間層濃度為1×10¹⁸cm^-3以上且5×10¹⁹cm^-3以下。

4.根據權利要求1所述的晶圓，其中，

所述第一層沿著所述第一方向的第一厚度為所述第一中間層沿著所述第一方向的第二厚度的0.2倍以上且2倍以下。

5.根據權利要求1所述的晶圓，其中，

所述基板包括多個所述SiC間區域，

所述多個SiC間區域的沿著與所述第一方向垂直的方向的長度的平均為0.3μm以下。

6.根據權利要求1所述的晶圓，其中，

所述第一中間層中的基底面位錯密度比所述第一層中的基底面位錯密度高。

7.一種半導體裝置，具備：

第一電極，與權利要求1所述的晶圓的所述基板的至少一部分被去除而得到的所述第一中間層電連接；

所述基板的至少一部分被去除之后的所述第一中間層；以及

所述第一層。

8.一種晶圓的制造方法，其中，

在作為包含SiC的第一中間層的第一中間層基體之上形成包含SiC的第一層，所述第一層以第一層濃度包含氮，所述第一中間層基體中的氮的第一中間層濃度比所述第一層濃度高，所述第一中間層基體包括第一層狀區域以及第二層狀區域，所述第一層狀區域處于所述第二層狀區域與所述第一層之間，

去除所述第二層狀區域，

將殘留的所述第一層狀區域與基板接合，所述基板包括包含SiC的多個SiC區域和設置于所述多個SiC區域之間且包含Si的SiC間區域。

9.根據權利要求8所述的晶圓的制造方法，其中，

所述第二層狀區域的所述去除包括在所述第一層的所述形成之后，在所述第一層狀區域與所述第二層狀區域之間形成第三層狀區域，

所述第三層狀區域中的結晶性比所述第一層狀區域中的結晶性低，比所述第二層狀區域中的結晶性低。

10.根據權利要求9所述的晶圓的制造方法，其中，

所述第三層狀區域的所述形成包括將電磁波照射到所述第一中間層基體而形成所述第三層狀區域。

11.根據權利要求8所述的晶圓的制造方法，其中，

所述基板包括第一基板部分和第二基板部分，

所述第一基板部分包括包含SiC的多個SiC區域和設置于所述多個SiC區域之間且包含Si的SiC間區域，

所述第二基板部分設置于所述第一基板部分的表面，

所述第二基板部分包含多晶SiC，

所述第二基板部分的氮的濃度比所述第一中間層濃度高。

12.一種半導體裝置的制造方法，其中，

將第一元素導入到權利要求1所述的晶圓的所述第一層的至少一部分，該第一元素包括從包括B、Al以及Ga的群選擇出的至少任意一個，

在所述導入之后，進行基于1600℃以上的溫度的熱處理。