[發明專利]延時裝置

有效

• 申請號: 202210120719.3
• 申請日: 2022-02-09
• 公開（公告）號: CN114448386B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 郭斌;陳佩
• 申請（專利權）人: 無錫市晶源微電子股份有限公司
• 主分類號: H03H11/26
• 分類號: H03H11/26
• 代理公司: 無錫市觀知成專利商標代理事務所(特殊普通合伙) 32591
• 代理人: 任月娜

1.一種延時裝置，其特征在于，包括：電流源、電容器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一開關、第一反相器、第二反相器和第三反相器；

所述電流源的一端與電源連接，所述電流源的另一端分別與所述電容器的正極、所述第二NMOS管的漏極、所述第一開關的第一端以及所述第一反相器的輸入端連接，所述電容器的負極分別與所述第一NMOS管的漏極和柵極以及所述第二NMOS管的柵極連接，所述第一NMOS管的源極、所述第二NMOS管的源極和所述第一開關的第二端均接地，所述第一反相器、所述第二反相器和所述第三反相器依次串聯；

其中，根據外部的初始信號控制所述第一開關的導通或者關斷；當所述第一開關關斷時，所述電流源給所述電容器充電，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管導通并進入亞閾值區以延長所述電容器的充電時間；當所述第一開關導通時，所述電容器放電，其中，在所述電容器充、放電期間，所述電容器的正極的電平信號經所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第一開關處理，并經所述第一反相器、所述第二反相器和所述第三反相器向后級輸出一延時信號；

所述延時裝置還包括：第一PMOS管、第二開關和第四反相器，所述第一PMOS管的源極與電源連接，所述第一PMOS管的漏極與所述第二開關的第一端連接，所述第二開關的第二端與所述第二NMOS管的漏極連接，所述第四反相器的輸入端與所述第二反相器的輸出端連接，所述第一PMOS管的柵極與所述第四反相器的輸出端連接。

2.根據權利要求1所述的延時裝置，其特征在于，所述第一開關為第三NMOS管，所述第三NMOS管的第三端接收外部的初始信號，其中，所述第三NMOS管的第一端為漏極，所述第三NMOS管的第二端為源極，所述第三NMOS管的第三端為柵極。

3.根據權利要求1所述的延時裝置，其特征在于，所述第二開關為第二PMOS管，所述第二PMOS管的第三端接收外部的初始信號，其中，所述第二PMOS管的第一端為源極，所述第二PMOS管的第二端為漏極，所述第二PMOS管的第三端為柵極。

4.根據權利要求1所述的延時裝置，其特征在于，所述第一反相器、所述第二反相器、第三反相器和所述第四反相器均相同。